发明名称 |
改进写入裕度的具有成对不对称存储单元的磁存储阵列 |
摘要 |
一种非易失磁性存储器阵列,它采用制作成二种形状的磁性存储器单元。二种类型的单元具有彼此成镜像的形状。二种类型的单元最好安排成交替棋盘图形的阵列,这意味着一种类型的单元被另一类型的邻近单元围绕。由于所有邻近单元的磁化主轴都不同于被选定写入的单元的磁化主轴,故邻近的相邻单元很少有可能也被写入。可以用磁性隧道结(MTJ)单元或巨磁阻(GMR)单元来制作此存储器阵列。 |
申请公布号 |
CN1170289C |
申请公布日期 |
2004.10.06 |
申请号 |
CN99123389.1 |
申请日期 |
1999.10.28 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
罗格尔·希尔森·科奇;罗伊·埃德温·舒尔莱恩 |
分类号 |
G11C5/02;G11C11/02;G11C13/00 |
主分类号 |
G11C5/02 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种非易失磁性存储器阵列,它包含:衬底;多个磁性存储器单元;制作在衬底上的多行导电线;制作在衬底上的多列导电线,各行和各列导电线在存储器单元附近相交;其特征在于:所述每个存储器单元为两种磁化主轴方向不同的存储器单元中的一种类型,其中第一类型单元的形状是第二类型单元形状的镜像,两种类型的单元作为以交替方式排列的存储器单元阵列而形成在衬底上。 |
地址 |
美国纽约 |