发明名称 | 磁阻式随机存取内存电路 | ||
摘要 | 一种磁阻式随机存取内存电路,包括下列组件,磁阻式记忆单元,具有固定磁轴层、自由磁轴层,以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层;一限流装置,其第一极耦接于自由磁轴层;开关装置耦接于固定磁轴层的一端,并具有一控制闸;第一选取线耦接于限流装置的第二极;第一编程线耦接于固定磁轴层的另一端,用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流;第二编程线耦接于开关装置;第二选取线耦接于控制闸,用以提供致能信号以导通开关装置。 | ||
申请公布号 | CN1534680A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
申请号 | CN200410004285.2 | 申请日期 | 2004.02.12 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林文钦;邓端理;池育德 |
分类号 | G11C11/15;H01L43/00 | 主分类号 | G11C11/15 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马娅佳 |
主权项 | 1.一种磁阻式随机存取内存电路,其特征在于,包括:一磁阻式记忆单元,具有一固定磁轴层、一自由磁轴层,以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层;一限流装置,其第一极耦接于上述自由磁轴层;一开关装置,耦接于上述固定磁轴层的一端,并具有一控制闸;一第一选取线,耦接于上述限流装置的第二极;一第一编程线,耦接于上述固定磁轴层的另一端,用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流;一第二编程线,耦接于上述开关装置;以及一第二选取线,耦接于上述控制闸,用以提供一致能信号以导通上述开关装置。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |