发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件之动作具有较佳之稳定性。此半导体元件具备:至少于背面的一部分上具有差排集中区之基板,及形成于基板表面上之半导体元件层,及形成于基板背面上的差排集中区之绝缘膜,及接触于基板背面的差排集中区以外区域而形成之背面侧电极。
申请公布号 TW200419862 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW093102474 申请日期 2004.02.04
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤
分类号 H01S5/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本