发明名称 二维周期性区域反转之铁电相光学非线性微晶格制造方法
摘要 本发明系一种二维周期性区域反转之铁电相光学非线性微晶格制造方法,其系于非线性晶体上施加一第一金属电极图形;将前述样品在低于居礼温度之环境下作热处理;于热处理环境作用下形成第一次浅层区域反转;于非线性晶体上施加一第二金属电极图形;将该晶体施以高于其矫顽电场之电压作用;在上述电场作用下,完成第二次深层区域反转;如是,可达成以电场驱动铁电相晶体进行区域反转(domaininversion)时,控制反转区域之成核点之发生与控制其纵向移动,并具有时域上多波雷射同时产生与空间滤波功能之二维非线性光子晶体;藉此,以空间电荷屏蔽电极图形下方之边缘电场,并以氧化层电极控制区域反转之成核点密度,达到制造具有任意几何形状之二维铁电相晶格结构之目的。
申请公布号 TW200419283 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092107008 申请日期 2003.03.27
申请人 国立台湾大学 发明人 彭隆瀚;王维新;詹淑媚;史毅骏;张永昌;徐兆庆
分类号 G02F1/35 主分类号 G02F1/35
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
地址 台北市大安区罗斯福路四段一号