| 发明名称 |
藉由氢化物之汽相取向生长作用以进行具减少位错密度之非极性氮化镓之生长 |
| 摘要 |
藉由氢化物之汽相取向生长作用(HVPE)以进行非极性a平面氮化镓(GaN)膜之横向取向生长(LEO)以产生明显减少之缺陷密度。 |
| 申请公布号 |
TW200419652 |
申请公布日期 |
2004.10.01 |
| 申请号 |
TW092135555 |
申请日期 |
2003.12.16 |
| 申请人 |
加利福尼亚大学董事会 |
发明人 |
班哲明A 哈斯克;麦克D 克拉芬;保罗T 菲尼;史帝芬P 巴尔斯;詹姆士S 史贝克;中村修治 |
| 分类号 |
H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
