| 摘要 |
非挥发性记忆体单元(110)系连接至一个位元线(BL170)。此位元线也与一电晶体(610)，例如一个Y型多工器电晶体，的一个源极／汲极区相连接。此源极／汲极区域暴露在一个较高电压下，因此其便是以一个具有较高接面崩溃电压，亦即此源极／汲极区域的接面崩溃电压比在同一电晶体内的其他源极／汲极区域(630)的接面崩溃电压值为高，的形式制得。一非挥发性记忆体具有复数个记忆体阵列(106)、一个全面解码器(438)以及辅助解码器(450)。由该全面解码器提供至该辅助解码器以便选取控制闸极线路(140)以及源极线路(152)的选取信号系由沿着列方向行进的线路(450)所携带。这些信号系为低电压信号(介于0伏特与电源电压(Vcc)之间)。超高电压由沿着行方向延伸的线路(460)所携带，进而降低了注入该控制闸极线路、源极线路以及字元线(150)的杂讯，并且也减少了与该超高电压线路结合在一起的寄生电容。一个积体电路具有至少两个包含有控制闸极线路(140)、源极线路(152)以及字元线(150)的记忆体阵列(106)。一个全面解码器(438)与辅助解码器(440)选取该控制闸极线路与源极线路。每个辅助解码器位在一个与该等阵列隔开的区域之中。在每个辅助解码器内的控制闸极线路与源极线路解码电路共享一共用区，进而缩小了记忆体的尺寸。而其他特征亦被提供。 |
