发明名称 供积体电路量测目的之轮廓精确化技术
摘要 本发明包括自测量讯号决定积体电路结构的轮廓之方法及系统,以量测装置测量自结构发射的讯号,于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,轮廓数据空间具有具指定非线性范围之数据点,及进行精确化程序以决定精确轮廓参数。一个实施例包括精确化程序,包含有在轮廓资料库讯号及轮廓参数的成本函数之函数领域中找出一多面体并利用加权平均方法最小化总成本函数。另一实施例包括轮廓参数精确化程序,利用敏感度分析、丛集法、以回归为基本之方法、局部化细微解析度精确化资料库法、反覆资料库精确化方法、及其他成本函数最适化或精确化演算法、程序、及方法。轮廓参数精确化可自动发动或基于预定标准而发动如超过实测讯号对最佳符合轮廓资料库之间的误差量测。
申请公布号 TWI221566 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092102714 申请日期 2003.02.10
申请人 迪伯技术股份有限公司 发明人 鲍君威;斯里尼凡斯 多迪;尼可 杰克达;王威
分类号 G06F17/50 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路一段一一八号十楼
主权项 1.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一实测讯号;于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,轮廓数据空间具有具指定非线性范围之数据点,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;以及利用精确化程序,基于选择的讯号之轮廓参数,决定相当于实测讯号之精确轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。2.如申请专利范围第1项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,轮廓数据空间具有具指定非线性范围之数据点,包含有:指定轮廓数据空间数据点之间非线性范围;以及证实轮廓数据空间数据点之间指定的非线性范围。3.如申请专利范围第2项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中指定轮廓数据空间数据点之间非线性范围包含有对各轮廓参数建立一临界値误差。4.如申请专利范围第2项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中证实轮廓数据空间数据点之间指定的非线性范围包含有:计算轮廓数据空间中数据点的精确解析度,将精确解析度设计来确保指定的非线性范围存在于数据点之间;以及利用计算的精确解析度建立轮廓数据空间的数据点。5.如申请专利范围第4项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中计算轮廓数据空间中数据点的精确解析度包含有:计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;决定各轮廓参数之最大精确解析度同时保持轮廓数据空间的数据点之间相关非线性范围。6.如申请专利范围第1项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中量测装置为光学量测装置、电子量测装置、电量测装置或机械量测装置。7.如申请专利范围第1项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定相当于实测讯号之精确轮廓参数包含有:于轮廓数据空间中选择一多面体,此多面体含有最佳符合数据点及具有对应于选定的轮廓参数数据点最近于最佳符合数据点之角落;以及最小化总成本函数,总成本函数包含有对应于选定的轮廓参数数据点之讯号相对于实测讯号之成本函数及最佳符合讯号相对于实测讯号之成本函数。8.如申请专利范围第7项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中选择的多面体具有一个角落相关于各轮廓参数。9.如申请专利范围第7项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中选择的多面体具有两个角落相关于各轮廓参数。10.如申请专利范围第7项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中最小化总成本函数包含有:选择一组加权向量,各加权向量具有向量元素,各向量元素相关于对应于选定数据点的讯号;计算加权向量组之各加权向量的总成本函数;以及选择产生最小总成本函数之加权向量。11.如申请专利范围第10项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:利用相关于最小总成本函数之加权向量计算精确的轮廓参数。12.如申请专利范围第1项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定相当于实测讯号之精确轮廓参数包含有:计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;利用计算的敏感度矩阵决定轮廓参数之调整値,以及由加入轮廓参数之调整値至对应于轮廓数据空间中最佳符合数据点的轮廓参数计算精确的轮廓参数。13.如申请专利范围第12项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定轮廓参数之调整値包含有:计算最佳符合讯号与实测讯号之差异;利用最佳符合讯号与实测讯号之差异及计算的敏感度矩阵计算调整値。14.如申请专利范围第1项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定精确轮廓参数之精确化程序利用双线性精确化、拉格朗日(Lagrange)精确化、曲线近似法(Cubic Spline)精确化、埃德肯(Aitken)精确化、加权平均精确化、多-二次式精确化、双立方精确化、图忍(Turran)精确化、微波精确化、贝赛尔(Bessel's)精确化、艾佛列特(Everett)精确化、有限差精确化、高斯(Gauss)精确化、埃尔米特(Hermite)精确化、牛顿除式差分精确化、曲率精确化、或蒂勒(Thiele)精确化演算法。15.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一测量讯号;由比较实测讯号与丛集代表的讯号选择实测讯号之最佳符合者,丛集代表系由轮廓数据空间数据点之丛集选出,丛集代表具有相关调整倍数矩阵用来转变讯号成为轮廓参数,轮廓数据空间数据点具有指定的非线性范围,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性;以及由实测讯号乘以调整倍数矩阵计算精确的轮廓参数。16.如申请专利范围第15项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中由比较实测讯号与丛集代表的讯号选择实测讯号之最佳符合者包含有:将轮廓数据空间数据点分类成丛集;选出各丛集的丛集代表;以及对各丛集的丛集代表之各轮廓参数推导出调整倍数矩阵。17.如申请专利范围第15项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:针对预设标准测试精确的轮廓参数对最佳符合讯号的轮廓参数之准确性;以及若精确的轮廓参数不符合预设标准,实施校正动作。18.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一测量讯号;选择指定数目之轮廓数据空间数据点最接近实测光谱,数据空间之数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,数据空间之数据点具有指定的非线性范围;推导出调整倍数,调整倍数用来转变关于指定数目之数据点的讯号成为相对应的轮廓参数;以及由实测讯号乘以调整倍数计算对应于实测讯号之精确的轮廓参数。19.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一测量讯号;于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,轮廓数据空间具有具指定非线性范围之数据点,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;选择指定数目之数据点最接近最佳符合者;由利用关于选择的数据点之数据推导出调整倍数,调整倍数用来转变选择的数据点之讯号成为相对应的轮廓参数;以及由实测讯号乘以调整倍数计算对应于实测讯号之精确的轮廓参数。20.一种用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,此方法包含:由利用精确化程序及以指定的解析度建立之轮廓数据空间决定对应于实测讯号之精确轮廓参数,轮廓数据空间具有数据点,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性;推导出一倍数来转变轮廓参数至相对应的计算的讯号,推导利用关于选定之数据点的数据;利用倍数及实测讯号之精确的轮廓参数计算一讯号;比较计算的讯号相对于实测讯号之配适度与由轮廓数据空间的最佳符合讯号相对于实测讯号之配适度,最佳符合讯号系由比较实测讯号与轮廓数据空间数据点相关的讯号而得;以及选择最接近实测讯号之计算的讯号;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。21.如申请专利范围第20项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,其中配适度比较系由比较计算的讯号相对于实测讯号之成本函数与最佳符合讯号相对于实测讯号之成本函数而进行。22.如申请专利范围第20项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,进一步包含有:实施校正动作以改善计算的讯号相对于实测讯号之配适度。23.如申请专利范围第22项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,其中实施校正动作包含有以比原先解析度较高的解析度再建立轮廓数据空间。24.如申请专利范围第20项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,其中实施校正动作包含有改变精确化程序至不同精确化程序。25.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一测量讯号;于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;选出轮廓数据空间子集内的第一个数据点,轮廓数据空间子集含有实测讯号及最接近关于最佳符合讯号数据点之数据点;以对应于选定的第一个数据点之轮廓参数模拟自结构发射的讯号;证实符合轮廓精确化预设标准,轮廓精确化预设标准包含有模拟的讯号相对于实测讯号之配适度量测;以及取得关于符合轮廓精确化预设标准之模拟讯号的轮廓参数。26.如申请专利范围第25项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中证实符合轮廓精确化预设标准包含有:测试误差度量是否于轮廓精确化预设标准内,误差度量测量模拟的讯号相对于实测讯号之配适度;以及若误差度量于轮廓精确化预设标准外,实施最适化技术以于数据空间子集内选择下一数据点,使用下一数据点来决定下一模拟的讯号。27.如申请专利范围第26项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中于数据空间子集内选择下一数据点之最适化技术包含有运用全域最适化技术及/或局部最适化技术。28.如申请专利范围第25项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,其中将轮廓数据空间以由量测模拟方法产生的数据点分布,量测模拟方法由轮廓参数之集合计算自结构发射的讯号29.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一测量讯号;于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;利用计算的敏感度矩阵及最佳符合轮廓参数决定第一组精确的轮廓参数;利用第一组精确的轮廓参数模拟第一个讯号;以及利用计算的敏感度矩阵及第一组精确的轮廓参数决定第二组精确的轮廓参数。30.如申请专利范围第29项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:利用第二组精确的轮廓参数模拟第二个讯号;以及利用计算的敏感度矩阵及第二组精确的轮廓参数决定第三组精确的轮廓参数。31.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的讯号,此测量产生一测量讯号;于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;利用精确化程序决定第一组精确的轮廓参数,精确化程序为一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数;建立轮廓参数之范围环绕第一组精确的轮廓参数;利用环绕第一组精确的轮廓参数建立的范围建立第二组精确的轮廓参数;以及利用精确化程序决定第二组精确的轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。32.如申请专利范围第31项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:利用环绕第二组精确的轮廓参数建立的范围建立第三组精确的轮廓参数;以及利用精确化程序决定第三组精确的轮廓参数。33.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者,轮廓资料库具有具指定的非线性范围之实例,轮廓资料库实例包括轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量散射光谱的散射光谱之轮廓资料库实例;以及利用精确化程序,基于选择的讯号之轮廓参数,决定相当于实测讯号之精确轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。34.如申请专利范围第33项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者包含有:指定轮廓资料库实例之间非线性范围;以及证实指定的非线性范围存在于轮廓资料库实例之间。35.如申请专利范围第34项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中指定非线性范围包含有对各轮廓参数建立一临界値误差。36.如申请专利范围第34项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中证实指定的非线性范围存在于轮廓资料库实例之间包含有:计算轮廓资料库中实例的精确解析度,将精确解析度设计来确保指定的非线性范围存在于轮廓资料库中实例之间;以及利用轮廓参数范围及计算的精确解析度建立轮廓资料库。37.如申请专利范围第36项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中计算轮廓资料库中实例的精确解析度包含有:计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;决定各轮廓参数之最大精确解析度同时保持轮廓资料库中实例之间指定的非线性范围。38.如申请专利范围第33项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定相当于实测讯号之精确轮廓参数包含有:于轮廓数据空间中选择一多面体,轮廓数据空间具有代表轮廓资料库实例之数据点,多面体含有最佳符合数据点及具有对应于选定的数据点最近于最佳符合数据点之角落,最佳符合数据点对应于轮廓资料库之最佳符合实例;以及最小化总成本函数,总成本函数包含有对应于选定的数据点之散射光谱相对于实测散射光谱之成本函数及最佳符合散射光谱相对于实测散射光谱之成本函数。39.如申请专利范围第38项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中选择的多面体具有一个角落相关于各轮廓参数。40.如申请专利范围第38项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中选择的多面体具有两个角落相关于各轮廓参数。41.如申请专利范围第38项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中最小化总成本函数包含有:选择一组加权向量,各加权向量具有向量元素,各向量元素相关于对应于选定数据点的散射光谱;利用加权向量组之加权向量计算总成本函数;以及选择关于最小总成本函数之加权向量。42.如申请专利范围第41项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:利用相关于最小总成本函数之加权向量计算精确的轮廓参数。43.如申请专利范围第33项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定相当于实测讯号之精确轮廓参数包含有:计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;利用敏感度矩阵决定轮廓参数之调整値;以及由加入轮廓参数之调整値至对应于轮廓资料库中最佳符合实例的轮廓参数计算精确的轮廓参数。44.如申请专利范围第43项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定轮廓参数之调整値包含有:计算最佳符合光谱与实测讯号之差异;利用最佳符合光谱与实测光谱之差异及计算的敏感度矩阵计算调整値。45.如申请专利范围第33项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中决定精确轮廓参数之精确化程序利用双线性精确化、拉格朗日(Lagrange)精确化、曲线近似法(Cubic Spline)精确化、埃德肯(Aitken)精确化、加权平均精确化、多-二次式精确化、双立方精确化、图忍(Turran)精确化、微波精确化、贝赛尔(Bessel's)精确化、艾佛列特(Everett)精确化、有限差精确化、高斯(Gauss)精确化、埃尔米特(Hermite)精确化、牛顿除式差分精确化、曲率精确化、或蒂勒(Thiele)精确化演算法。46.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;由比较实测散射光谱与丛集代表的散射光谱选择实测散射光谱之最佳符合者,丛集代表具有相关调整倍数矩阵用来转变散射光谱成为轮廓参数,丛集代表系由轮廓资料库实例之丛集选出,轮廓资料库实例包括散射光谱及轮廓参数,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,轮廓资料库实例系以指定的非线性范围建立;以及由实测散射光谱乘以调整倍数矩阵计算精确的轮廓参数。47.如申请专利范围第46项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中由比较实测散射光谱与丛集代表的散射光谱选择实测散射光谱之最佳符合者包含有:将轮廓资料库实例分类成丛集;选出各丛集的丛集代表;以及对各丛集的丛集代表之各轮廓参数推导出调整倍数矩阵。48.如申请专利范围第46项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:针对预设标准测试精确的轮廓参数对最佳符合讯号的轮廓参数之准确性;以及若精确的轮廓参数不符合预设标准,实施校正动作。49.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;选择指定数目之轮廓资料库实例最接近实测散射光谱,轮廓资料库实例包括散射光谱及轮廓参数,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,轮廓资料库实例以指定的非线性范围建立;推导出调整倍数,调整倍数用来转变指定数目之轮廓资料库实例的散射光谱成为相对应的轮廓参数;以及由实测散射光谱乘以调整倍数计算精确的轮廓参数。50.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者,轮廓资料库具有具指定非线性范围之实例,轮廓资料库实例代表轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量散射光谱的散射光谱之轮廓资料库实例;选择指定数目之轮廓资料库实例最接近最佳符合光谱;推导出调整倍数,调整倍数用来转变指定数目之轮廓资料库实例的散射光谱成为相对应的轮廓参数;以及由实测散射光谱乘以调整倍数计算精确的轮廓参数。51.一种用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;由利用精确化程序及以指定的解析度建立之轮廓资料库决定对应于实测散射光谱之精确轮廓参数,轮廓资料库具有实例,实例具有轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,精确化程序为一连串步骤,设计来利用实测散射光谱、关于最佳符合散射光谱之数据、及其他来自及/或推导自轮廓资料库之数据决定精确的轮廓参数;推导出一倍数来转变轮廓参数至相对应的计算的散射光谱,推导利用关于选定之轮廓资料库实例的数据;利用倍数及实测散射光谱之精确的轮廓参数计算一散射光谱;比较计算的散射光谱相对于实测散射光谱之配适度与由轮廓资料库的最佳符合散射光谱相对于实测散射光谱之配适度,最佳符合散射光谱系由比较实测散射光谱与轮廓资料库实例相关的散射光谱及选择最接近实测散射光谱之散射光谱而得。52.如申请专利范围第51项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,其中配适度比较系由比较计算的散射光谱相对于实测散射光谱之成本函数与最佳符合散射光谱相对于实测散射光谱之成本函数而进行。53.如申请专利范围第51项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,进一步包含有:实施校正动作以改善计算的散射光谱相对于实测散射光谱之配适度。54.如申请专利范围第53项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,其中实施校正动作包含有以比原先解析度较高的解析度再建立轮廓资料库。55.如申请专利范围第53项之用于决定积体电路结构轮廓之轮廓精确化参数的调整方法,其中实施校正动作包含有改变精确化程序至不同精确化程序。56.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者,轮廓资料库具有具指定非线性范围之实例,轮廓资料库实例包括轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量散射光谱的散射光谱之轮廓资料库实例;选出轮廓数据空间子集内的第一个数据点,轮廓数据空间子集含有最佳符合散射光谱的轮廓参数及最接近最佳符合散射光谱轮廓参数之轮廓参数;以对应于选定的第一个数据点之轮廓参数模拟自结构发射的散射光谱;证实符合轮廓精确化预设标准,轮廓精确化预设标准包含有模拟的散射光谱相对于实测散射光谱之配适度量测;以及取得关于符合轮廓精确化预设标准之模拟散射光谱的轮廓参数。57.如申请专利范围第56项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中证实符合轮廓精确化预设标准包含有:测试误差度量是否于轮廓精确化预设标准内,误差度量测量模拟的散射光谱相对于实测光谱之配适度;以及若误差度量于轮廓精确化预设标准外,实施最适化技术以于数据空间子集内选择下一数据点,使用下一数据点来决定下一模拟的散射光谱。58.如申请专利范围第57项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中于数据空间子集内选择下一数据点之最适化技术包含有运用全域最适化技术及/或局部最适化技术。59.如申请专利范围第56项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,其中将轮廓数据空间以由光学量测模拟方法产生的数据点分布,光学量测模拟方法以特定解析度由轮廓参数之集合计算自结构发射的散射光谱。60.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者,轮廓资料库具有具指定非线性范围之实例,轮廓资料库实例包括轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量散射光谱的散射光谱之轮廓资料库实例;计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发散射光谱变化之测量;利用计算的敏感度矩阵及最佳符合轮廓参数决定第一组精确的轮廓参数;利用第一组精确的轮廓参数模拟第一个散射光谱;以及利用计算的敏感度矩阵及第一组精确的轮廓参数决定第二组精确的轮廓参数。61.如申请专利范围第60项之自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,进一步包含有:利用第二组精确的轮廓参数模拟第二个散射光谱;以及利用计算的敏感度矩阵及第二组精确的轮廓参数决定第三组精确的轮廓参数。62.一种自实测散射光谱决定积体电路结构轮廓之方法,此方法包含:以量测装置测量自结构发射的散射光谱,测量产生一实测散射光谱;于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者,轮廓资料库具有具指定非线性范围之实例,轮廓资料库实例包括轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量散射光谱的散射光谱之轮廓资料库实例;利用精确化程序决定第一组精确的轮廓参数,精确化程序为一连串步骤,设计来利用实测散射光谱、关于最佳符合散射光谱之数据、及其他来自及/或推导自轮廓资料库之数据决定精确的轮廓参数;建立轮廓参数之范围环绕第一组精确的轮廓参数;利用环绕第一组精确的轮廓参数建立的范围建立第二组精确的轮廓参数;以及利用精确化程序决定第二组精确的轮廓参数。63.一种自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,此系统包含:一轮廓询问装置,设置来传送实测讯号及接受精确的轮廓参数,实测讯号由积体电路结构得到,轮廓参数表示积体电路结构可能轮廓的特性;一轮廓数据空间,具有具指定非线性范围之数据点,数据点代表轮廓参数及相关讯号;以及一轮廓评估计,设置来于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间数据点;及设置来进行精确化程序以决定精确的轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。64.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来于轮廓数据空间中选择一多面体,多面体包含有最佳符合数据点及具有对应于选定的轮廓参数数据点最近于最佳符合数据点之角落;以及其中将轮廓评估计设置来最小化总成本函数,总成本函数包含有对应于选定的轮廓参数数据点之讯号相对于实测讯号之成本函数及最佳符合讯号相对于实测讯号之成本函数。65.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;其中将轮廓评估计设置来利用计算的敏感度矩阵决定轮廓参数之调整値;以及其中将轮廓评估计设置来藉由加入轮廓参数之调整値至对应于轮廓数据空间中最佳符合数据点的轮廓参数以计算精确的轮廓参数。66.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来藉由比较实测讯号与丛集代表的讯号选择实测讯号之最佳符合者,丛集代表系由轮廓数据空间数据点之丛集选出,轮廓数据空间数据点具有指定的非线性范围,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性;以及其中将轮廓评估计设置来藉由实测讯号乘以调整倍数矩阵计算精确的轮廓参数,调整倍数矩阵转变讯号成为轮廓参数。67.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来选择指定数目之数据空间数据点最接近实测讯号,轮廓数据空间数据点代表轮廓参数及数据空间的相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,轮廓数据空间数据点具有指定的非线性范围;其中将轮廓评估计设置来推导出调整倍数,调整倍数转变指定数目之数据之相关讯号成为相对应的轮廓参数;以及其中将轮廓评估计设置来藉由实测讯号乘以调整倍数计算对应于实测讯号之精确的轮廓参数。68.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;其中将轮廓评估计设置来于轮廓数据空间子集内选出第一个数据点,轮廓数据空间子集含有实测讯号及最接近关于最佳符合讯号数据点之数据点;其中将轮廓评估计设置来以对应于选定的第一个数据点之轮廓参数模拟自结构发射的讯号;其中将轮廓评估计设置来证实符合轮廓精确化预设标准,轮廓精确化预设标准包含有模拟的讯号相对于实测讯号之配适度量测;以及其中将轮廓评估计设置来取得关于符合轮廓精确化预设标准之模拟讯号的轮廓参数。69.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;其中将轮廓评估计设置来计算敏感度矩阵,敏感度矩阵为由轮廓参数之变化引发讯号变化之测量;其中将轮廓评估计设置来利用计算的敏感度矩阵及最佳符合轮廓参数决定第一组精确的轮廓参数;其中将轮廓评估计设置来利用第一组精确的轮廓参数模拟第一个讯号;以及其中将轮廓评估计设置来利用计算的敏感度矩阵及第一组精确的轮廓参数决定第二组精确的轮廓参数。70.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;其中将轮廓评估计设置来利用精确化程序决定第一组精确的轮廓参数,精确化程序为一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数;其中将轮廓评估计设置来建立轮廓参数之范围环绕第一组精确的轮廓参数;其中将轮廓评估计设置来利用环绕第一组精确的轮廓参数建立的范围建立第二轮廓数据空间;以及其中将轮廓评估计设置来利用精确化程序决定第二组精确的轮廓参数。71.如申请专利范围第63项之自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中将轮廓评估计设置来执行精确化程序,其利用双线性精确化、拉格朗日(Lagrange)精确化、曲线近似法(Cubic Spline)精确化、埃德肯(Aitken)精确化、加权平均精确化、多-二次式精确化、双立方精确化、图忍(Turran)精确化、微波精确化、贝赛尔(Bessel's)精确化、艾佛列特(Everett)精确化、有限差精确化、高斯(Gauss)精确化、埃尔米特(Hermite)精确化、牛顿除式差分精确化、曲率精确化、或蒂勒(Thiele)精确化演算法。72.一种利用多重精确化引擎自实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,此系统包含:一轮廓询问装置,设置来传送实测讯号及接受精确的轮廓参数,实测讯号由积体电路结构得到,轮廓参数表示积体电路结构可能轮廓的特性;一轮廓数据空间,设置来储存具有轮廓参数及相关讯号之数据点;以及一轮廓评估计,设置来发动多于一种精确化程序以决定多于一组精确的轮廓参数,设置来选择最佳符合讯号,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;设置来基于指定的选择标准由多于一组精确的轮廓参数中选择一组精确的轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。73.一种由量测装置产生之实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,此系统包含:一量测装置,设置来测量自积体电路结构发射的讯号及传送实测讯号,实测讯号由积体电路结构得到,轮廓参数表示积体电路结构可能轮廓的特性;一轮廓询问装置,设置来传送轮廓参数之询问及接受精确的轮廓参数;一轮廓数据空间,设置来储存数据点,数据点具有讯号及相关之轮廓参数;以及一轮廓评估计,设置来于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间数据点,设置来发动一或多种精确化程序以决定一或多组精确的轮廓参数,设置来基于指定的选择标准由一或多组精确的轮廓参数中选择一组精确的轮廓参数,及设置来传送精确的轮廓参数至轮廓询问装置;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。74.如申请专利范围第73项之由量测装置产生之实测讯号决定积体电路结构轮廓之系统,其中量测装置为光学量测装置、电子量测装置、电量测装置,或机械量测装置。75.一种含有电脑可执行的编码之电脑可读的储存媒体,由指示电脑如下操作以自实测讯号决定积体电路结构轮廓;于轮廓数据空间中选择实测讯号之最佳符合者,实测讯号由积体电路结构得到,轮廓数据空间具有具指定非线性范围之数据点,数据点代表轮廓参数及相关讯号,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量讯号的讯号之轮廓数据空间的数据点;以及进行精确化程序以决定相当于测量讯号之精确的轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。76.一种含有电脑可执行的编码之电脑可读的储存媒体,由指示电脑如下操作以自实测讯号决定积体电路结构轮廓:于轮廓资料库中选择实测散射光谱之最佳符合者,实测散射光谱由积体电路结构得到,轮廓资料库具有具指定非线性范围之实例,轮廓资料库实例包括轮廓参数及相关散射光谱,轮廓参数表示积体电路结构轮廓的特性,最佳符合者为具有最接近测量散射光谱的散射光谱之轮廓资料库实例;以及进行精确化程序以决定相当于测量光谱之精确的轮廓参数;其中精确化程序包含一连串步骤,设计来利用实测讯号、关于最佳符合讯号之数据、及其他来自及/或推导自轮廓数据空间之数据决定精确的轮廓参数。图式简单说明:图1系显示利用光学量测而测量积体电路循环结构的散射光谱之建筑图。图2A显示相较于轮廓资料库中散射光谱图实例之实测散射光谱图。图2B显示相较于轮廓资料库中轮廓实例之实测循环结构之结构轮廓。图3为本发明一个模范实施例中用以产生具有特定程度之非线性轮廓资料库之操作步骤流程图。图4A为本发明模范实施例中由最小化成本函数用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图4B及4C为本发明模范实施例中利用成本最佳化之轮廓精确化图示说明。图5A为本发明较佳实施例中利用敏感度分析用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图5B为本发明较佳实施例中利用敏感度分析之轮廓精确化图示说明。图6为本发明模范实施例中利用丛集轮廓资料库实例用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图7为本发明模范实施例中利用调整倍数及成本函数最佳化用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图8为本发明模范实施例中利用以回归为基本的方法用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图9A为本发明模范实施例中利用局部细微解析度精确化资料库方法用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图9B为本发明模范实施例中利用局部细微解析度精确化资料库方法之轮廓精确化图示说明。图10为本发明模范实施例中利用以回归为基本的方法用以轮廓精确化之操作步骤流程图。图11为本发明模范实施例中用以证明精确化轮廓参数的正确性对于最佳符合轮廓参数之操作步骤流程图。图12为本发明模范实施例中含有轮廓评估计之系统的建筑流程图。图13A为说明本发明模范实施例中连接至轮廓评估计之询问装置的建筑图。图13B为说明本发明模范实施例中行使许多成本最佳计及精确工具的轮廓评估计之建筑图。
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