| 主权项 |
1.一种拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其特征在于由半透明石英玻璃层之坩埚基体,与于该坩埚基体之内壁面所形成的合成石英玻璃层而成的拉矽单晶用石英玻璃坩埚,采用该石英玻璃坩埚在拉提矽单晶之际,为该石英玻璃坩埚内表面之褐色环所包围的部分作成可予均匀的结晶化。2.一种拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其特征在于由半透明石英玻璃层之坩埚基体,与于该坩埚基体之内壁面所形成的合成石英玻璃层而成之拉矽单晶用石英玻璃坩埚,该合成石英玻璃层之黏度在1400℃,为10.3109~11.0109N.s/㎡。3.如申请专利范围第1项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其中前述合成石英玻璃层之氢氧基量为50~250ppm。4.如申请专利范围第2项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其中前述合成石英玻璃层之氢氧基量为50~250ppm。5.如申请专利范围第1项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其中前述合成石英玻璃层之氮量为1~100ppm。6.如申请专利范围第2项之拉矽单晶用石英玻璃坩蜗,其中前述合成石英玻璃层之氮量为1~100ppm。7.如申请专利范围第1项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其中前述合成石英玻璃层之厚度为1~5mm。8.如申请专利范围第2项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚,其中前述合成石英玻璃层之厚度为1~5mm。9.一种拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,系使用旋转的上部开口模具并拉单矽晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其特征在于由(a)将二氧化矽粉末供给至前述模具内,沿该模具内面形成前成形体之步骤,(b)将前述前成形体加热熔融,形成半透明石英玻璃制坩埚基体之步骤,(c)于此坩埚基体之形成中或形成后,在该坩埚基体内的高温气体笼罩气中供给合成二氧化矽粉末,使朝内壁面飞散熔合,形成合成石英玻璃层之步骤,而成,采用所制造的石英玻璃坩埚,提拉矽单晶之际,为该石英玻璃坩埚内表面之褐色环所包围的部分经予均匀的结晶化。10.一种拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,系使用旋转的上部开口模具并拉单矽晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其特征在于由(a)将二氧化矽粉末供给至前述模具内,沿该模具内面形成前成形体之步骤,(b)将前述前成形体加热熔融,形成半透明石英玻璃制坩埚基体之步骤,(c)于此坩埚基体之形成中或形成后,在该坩埚基体内的高温气体笼罩气中供给合成二氧化矽粉末,使朝内壁面飞散熔合,形成合成石英玻璃层之步骤,而成,藉由将该合成石英玻璃层之氢氧基量及氮量各自调整成指定量,设定该合成石英玻璃层之黏度成指定的范围。11.如申请专利范围第10项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成石英玻璃层之黏度在1400℃,为10.3109~11.0109N.s/㎡。12.如申请专利范围第9项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末之氢氧基量在250ppm以下,且氮量在100ppm以下。13.如申请专利范围第10项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末之氢氧基量在250ppm以下,且氮量在100ppm以下。14.如申请专利范围第11项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末之氢氧基量在250ppm以下,且氮量在100ppm以下。15.如申请专利范围第9项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末系所有的金属元素之含有量系各自未满0.5ppm之高纯度合成二氧化矽粉末。16.如申请专利范围第10项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末为所有的金属元素之含有量系各自未满0.5ppm之高纯度合成二氧化矽粉末。17.如申请专利范围第12项之拉矽单晶用石英玻璃坩蜗之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末为所有的金属元素之含有量系各自未满0.5ppm之高纯度合成二氧化矽粉末。18.如申请专利范围第13项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末为所有的金属元素之含有量系各自未满0.5ppm之高纯度合成二氧化矽粉末。19.如申请专利范围第14项之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之制造方法,其中前述合成二氧化矽粉末为所有的金属元素之含有量系各自未满0.5ppm之高纯度合成二氧化矽粉末。图式简单说明:第1图为表示本发明方法之实施所使用的装置与使用该装置之石英玻璃坩埚制造方法的概略截面说明图。第2图为本发明之拉矽单晶用石英玻璃坩埚之部分截面图。第3图为表示习用的石英玻璃坩埚内表面所具的褐色环或失透斑点之发生状况的一例之模示图。 |
