发明名称 晶片承载座构造
摘要 一种晶片承载座构造,该承载座构造包含一本体座、一主通道、一抽气孔、一对侧抽气孔及数个颈部。该主通道设于该本体座之底部,该抽气孔及侧抽气孔则纵向排列设置于该本体座之顶部。该主通道连接于该抽气孔及侧抽气孔,如此该主通道、抽气孔及侧抽气孔贯穿该本体座之顶部及底部。该抽气孔及侧抽气孔内分别设有该颈部,以强化该本体座之结构。在进行抽真空时,经由该主通道抽出气体,一晶片则吸附在该本体座之顶部之抽气孔及侧抽气孔上。
申请公布号 TWM245598 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092219490 申请日期 2003.11.03
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA)., LTD. 百慕达 发明人 邱智贤;李耀荣;黄铭亮;郭秀湲;林雅芬
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 陈启舜 高雄市苓雅区中正一路二八四号十二楼
主权项 1.一种晶片承载座构造,其包含:一本体座,其设有一顶部供承载一晶片,其另设有一底部;一主通道,其设置于该本体座之底部,该主通道用以抽出气体;一中央抽气孔,其设置于该本体座之顶部并连通于该主通道,如此该中央抽气孔及主通道贯穿该本体座之顶部及底部;及至少二侧抽气孔,其设置于该本体座之顶部并连通于该主通道,如此该侧抽气孔及主通道贯穿该本体座之顶部及底部,该侧抽气孔配置于该中央抽气孔之两侧;其中当进行抽真空时,该中央抽气孔及侧抽气孔之调节热流失量能维持该本体座之温度分布均匀,因而避免该本体座本身之微量翘曲变形。2.依申请专利范围第1项之晶片承载座构造,其中该晶片承载座系由金属加工制成。3.依申请专利范围第1项之晶片承载座构造,其中该晶片承载座系属圆凸体。4.依申请专利范围第1项之晶片承载座构造,另包含至少一颈部,该颈部分别设置于该中央抽气孔内。5.依申请专利范围第1项之晶片承载座构造,另包含至少一颈部,该颈部分别设置于该侧抽气孔内。6.依申请专利范围第1项之晶片承载座构造,其中该中央抽气孔系属圆长孔。7.依申请专利范围第1项之晶片承载座构造,其中该侧抽气孔系属扁长孔。图式简单说明:第1图:习用晶片承载座构造之立体图。第2图:习用晶片承载座构造组装于热压合机之局部剖视示意图。第3图:本创作较佳实施例晶片承载座构造之立体图。第4图:本创作较佳实施例晶片承载座构造组装于热压合机之局部剖视示意图。
地址 新竹县新竹科学工业园区研发一路一号