| 主权项 |
1.一种用以测试一集合之装置晶片的系统,藉由暂时地附着一微连结结构至该阵列,该系统至少包含:微连结功能载具,具有一多层基板,该基板具有多数插座于其顶面上;一组微树枝状特性,分布于该等插座中;一组接触垫于该等装置晶片上,以匹配在该载具上的多数插座;一组测试垫,在该载具上;及内连线配线,连接测试垫至该微树枝垫阵列。2.如申请专利范围第1项所述之系统,其中在该等装置晶片上的接触垫系被作成形状,以具有突点由该垫表面延伸。3.如申请专利范围第1项所述之系统,其中上述之诸插座除了在内壁面及其基座的最内部份有贵金属树枝状物外,也具有邻接衬垫层、晶种层及阻障层于这些表面上。4.如申请专利范围第3项所述之系统,其中上述之衬垫层系由Ta、Ti、W、TaN、TiN、WN、Cr:200-1600A所构成之群组中所选出。5.如申请专利范围第3项所述之系统,其中上述之晶种层系由Cu、Au:300-2000A所构成之群组中所选出。6.如申请专利范围第3项所述之系统,其中上述之阻障层系由Ni、Ni-P、Co、Co-P、Ni-P、Pt、Pd:2000-10000A所构成之群组中所选出。7.如申请专利范围第1项所述之系统,其中上述之阻障层包含一层矽及介电层,该等插座系于介电层中,及阻障层配线系在该介电层下。8.如申请专利范围第4项所述之系统,其中上述之衬垫层系由介电层的顶面所蚀去。9.如申请专利范围第5项所述之系统,其中上述之晶种层系由介电层的顶面所蚀去。10.如申请专利范围第1项所述之系统,其中上述之树枝系由包含Pt、Pd、Rh所构成之群组所选出之贵金属。11.如申请专利范围第6项所述之系统,其中上述之树枝状金属系由例如Ni、Cu之非贵金属所选出,及随后被镀以例如Pt、Pd、Rh之贵金属。12.一种于一半导体晶圆内之装置晶片阵列的测试方法,藉由暂时将一微连结结构附着至该阵列,该测试方法至少包含下列步骤:藉由建立一呈多层基板形式之载具,以形成微连结结构;在该等装置晶片上,形成一组接触垫;在一载具上形成一组微树枝垫阵列,匹配在该等装置晶片上之接触垫;在该载具上,形成内连线配线,以连接诸接触垫至该微树枝垫阵列;组合该等晶片以暂时地啮合在该晶片上之接触垫,配合该载具上之微树枝垫,以完成暂时接触;及执行系统级功能测试及在整个晶片的集合上执行预烧。13.如申请专利范围第12项所述之方法,包含在由半导体晶圆延伸的突点的末端处,形成接触垫的步骤。14.如申请专利范围第12项所述之方法,包含在该载具的顶面中之插座的周边处,形成邻接之衬垫层、晶种层、阻障金属层及贵金属树枝状层的步骤。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之衬垫层系由Ta、Ti、W、TaN、TiN、WN、Cr:200-1500A所构成之群组中所选出。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之晶种层系由Cu、Au:300-2000A所构成之群组中所选出。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之阻障层系由Ni、Ni-P、Co、Co-P、Ni-P、Pt、Pd:2000-10000A所构成之群组中所选出。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之阻障层包含一层矽及介电层,该等插座系于介电层中,及阻障层配线系在该介电层下。19.如申请专利范围第18项所述之方法,包含由钽层的顶面蚀去衬垫层的步骤。20.如申请专利范围第18项所述之方法,包含由介电层的顶面蚀去晶种层的步骤。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中构成上述之树枝系由包含Pt、Pd、Rh所构成之群组所选出之贵金属。22.如申请专利范围第14项所述之方法,其中构成上述之树枝金属系由包含Ni、Cu之群组所选出,及随后被镀以例如Pt、Pd、Rh之一层贵金属。图式简单说明:第1图为一具有金属沉积物在一接触插座上的载具,该插座系形成于一先前沉积的介电膜上。第2图为以化学机械研磨(CMP)由表面上去除铜形式之金属并沉积镍层及Pd树枝状物后的载具。第3图为在介电层上之TaN-Ta层蚀刻后的载具,并显示由一装置晶片延伸的突点的暂时连接。 |
