| 主权项 |
1.一种自我对准接触窗形成方法,包括:于一半导体基板上提供至少一闸极堆叠结构(stacked-gate structure);于该半导体基板以及该闸极堆叠结构上,形成一第一介电层;形成一第二介电层于该第一介电层上,该第二介电层相对于该第一介电层具有蚀刻选择性;蚀刻该第二介电层,以曝露出形成于该闸极堆叠结构之顶部表面以及至少一部分该闸极堆叠结构侧壁上部之该第一介电层;移除已曝露之该第一介电层;以及形成一第三介电层于该闸极堆叠结构之侧壁。2.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,更包括:形成一保角的第一介电层。3.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该闸极堆叠结构之形成步骤包括:提供一闸极绝缘层于该半导体基板上;提供一第一金属层于该闸极绝缘层上;提供一第四介电层于该第一金属层上;以及提供一第二金属层于该第四绝缘层上。4.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该第一介电层系一氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该第二介电层系一氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该第三介电层系一氮化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中形成该第一介电层步骤包括:氧化该闸极堆叠结构以及该半导体基板。8.如申请专利范围第7项所述之自我对准接触窗形成方法,其中氧化该闸极堆叠结构步骤包括:以氧气以及氢气进行快速热制程。9.如申请专利范围第7项所述之自我对准接触窗形成方法,其中氧化该闸极堆叠结构步骤包括:以氧气以及氢气进行临场流产生程序(in-situ streamgeneration process)。10.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其更包括:形成一第四介电层于该第三介电层及该半导体基板上,该第四介电层相对于该第三介电层具有蚀刻选择性。11.如申请专利范围第10项所述之自我对准接触窗形成方法,其更包括:蚀刻该第四介电层以及该第一介电层,以曝露出邻接该闸极堆叠结构之一接触区于该半导体基板内。12.如申请专利范围第10项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该第四介电层系一氧化矽层。13.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该第二介电层系以高密度化学气相沉积形成。14.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该第一介电层系以一浸洗蚀刻方法移除。15.如申请专利范围第1项所述之自我对准接触窗形成方法,其更包括:形成该第三介电层前,移除该闸极堆叠结构侧壁上之该第二介电层。16.一种自我对准接触窗形成方法,包括:于一半导体基板上,提供至少一闸极堆叠结构(stacked-gate structure);氧化该闸极堆叠结构以及该半导体基板以形成一第一氧化层;形成一牺牲层于该第一氧化层,该牺牲层相对该第一氧化层具有蚀刻选择性;蚀刻该牺牲层以曝露位于该闸极堆叠结构顶部以及侧壁上部之该第一氧化层;移除曝露出之该第一氧化层,以曝露出该闸极堆叠结构顶部以及侧壁上部;沿该闸极堆叠结构之侧壁,形成一侧壁层;形成一第二氧化层于该侧壁层以及该半导体基板,该第二氧化层相对该侧壁具有蚀刻选择性;以及蚀刻该第二氧化层以及该第一氧化层,以曝露出邻接该闸极堆叠结构之一接触区。17.如申请专利范围第16项所述之自我对准接触窗形成方法,其中提供至少一闸极堆叠结构步骤包括:提供一闸极绝缘层;提供一第一金属层覆盖该闸极绝缘层;提供一介电层覆盖该第一金属层;以及提供一第二金属层覆盖该介电层。18.如申请专利范围第16项所述之自我对准接触窗形成方法,其中该牺牲层系一氮化矽层。19.如申请专利范围第16项所述之自我对准接触窗形成方法,其中氧化该闸极堆叠结构包括以氧气以及氢气进行快速热制程20.如申请专利范围第16项所述之自我对准接触窗形成方法,其中氧化该闸极堆叠结构包括以氧气以及氢气进行临场流产生程序(in-situ stream generationprocess)。图式简单说明:第1图为习知快闪记忆体装置之剖面图;第2-8图为本发明自我对准接触窗形成方法之一实施例剖面图。 |
