发明名称 低功率高性能储存电路及相关方法
摘要 本发明提供一种积体电路,其包括一第一NMOS电晶体;一第一PMOS电晶体;一第二NMOS电晶体;一第二PMOS电晶体;一被耦合至该第一NMOS电晶体之第一源极/汲极的第一偏压电压节点;一被耦合至该第二PMOS电晶体之第一源极/汲极的第二偏压电压节点;一被耦合至该第一PMOS电晶体之闸极的第三偏压电压节点;一被耦合至该第二NMOS电晶体之闸极的第四偏压电压节点;一用以将该第一NMOS电晶体之第二源极/汲极耦合至该第一PMOS电晶体之第一源极/汲极的上拉节点;一用以将该第二PMOS电晶体之第二源极/汲极耦合至该第二NMOS电晶体之第一源极/汲极的下拉节点;一用以将该第一PMOS电晶体之第二源极/汲极耦合至该第二NMOS电晶体之第二源极/汲极的储存节点;一输出节点;一输入切换器,其系被耦合以可控的方式从该输入节点与该第一NMOS电晶体之闸极以及与该第二PMOS电晶体之闸极来传送输入资料值;以及一输出切换器,其系被耦合以可控的方式从该储存节点与该输出节点来传送被储存的资料值。
申请公布号 TW200419575 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092122109 申请日期 2003.08.12
申请人 加利福尼亚大学董事会 发明人 桑莫 甘;尤雄蒙
分类号 G11C11/407;G11C11/409;G11C11/4091 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国