浮动闸极的形成方法

摘要

本发明提供一种浮动闸极的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上依序形成有一导电层及一具有开口之图案化硬罩幕层，且开口露出导电层之部份表面；接着，以图案化硬罩幕层为罩幕，对半导体基底进行第一次氧化处理以在开口底部之导电层表面上形成一氧化层，并去除硬罩幕层；然后，对氧化层进行氮离子植入步骤，且对半导体基底进行第二次氧化处理以使氧化层增厚；及以氧化层为罩幕，去除未被氧化层遮蔽之导电层以使导电层边缘具有尖锐角度。