使对准区域之表层于化学机械研磨后保持完整平坦之方法与结构

摘要

本发明揭示一种使对准区域之表层于化学机械研磨后保持完整平坦之方法。首先，提供一半导体基底，其中半导体基底包括一元件区与具有复数对准标记沟槽之一对准区。接着，顺应性形成一第一罩幕层于半导体基底表面与对准标记沟槽内。接着，图案化第一罩幕层。接着，以图案化第一罩幕层为遮蔽，蚀刻半导体基底，形成复数浅沟槽于元件区之半导体基底内。接着，形成一阻障层，以填满浅沟槽与对准标记沟槽。然后，形成一图案化第二罩幕层于阻障层表面。接着，以图案化第二罩幕层为遮蔽，蚀刻阻障层，保留元件区之浅沟槽上方之阻障层，并且于对准区中除了对准标记沟槽以外的阻障层内蚀刻出复数研磨闲置物。接着，去除图案化第二罩幕层。最后，对浅沟槽上方之阻障层与研磨闲置物进行一化学机械研磨程序，直到露出图案化第一罩幕层表面为止。