发明名称 画素结构及其制造方法
摘要 一种画素结构及其制造方法,此方法系将画素结构中薄膜电晶体之通道层以及汲极定义于扫描配线之上方,且未超出扫描配线,藉以降低通道层之光漏电问题,并且使薄膜电晶体制程中当第一金属层与第二金属层之间发生对准不佳时,闸极与汲极间之寄生电容仍不会有改变。
申请公布号 TW200419794 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092107065 申请日期 2003.03.28
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 来汉中
分类号 H01L27/146;G02F1/136 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号