| 摘要 |
本发明之薄膜形成装置，其主要是一将真空容器的内部隔离成二室的导电性隔壁板设在上述真空容器内，在上述二室之中，其中一室形成为已配置了高频电极的电浆产生空间，而另一室则形成为已配置了用于搭载基板之基板保持机构的成膜处理空间，在上述导电性隔壁板则形成有让上述电浆产生空间与上述成膜处理空间相多个贯通孔，将藉由放电电浆而产生所希望之活性种的气体导入到上述电浆产生空间，而通过上述导电性隔壁板的多个的上述贯通孔，将在上述电浆产生空间内所产生之所希望的上述活性种供给到上述成膜处理空间，更且，在上述导电性隔壁板则具有从上述电浆产生空间被隔离，且经由多个的材料气体扩散孔而与上述成膜处理空间相通的第一内部空间，从外部将材料气体导入到该第一内部空间，而经由多个的上述材料气体扩散孔被供给到上述成膜处理空间，利用被供给到上述成膜处理空间的上述活性种与上述材料气体的反应，而在上述基板上形成膜的薄膜形成装置，其特征在于：上述导电性隔壁板更具有从上述第一内部空间隔离，且经由多个的气体扩散孔而与上述成膜处理空间相通的第二内部空间，而从外部将上述材料气体以外的气体导入到该第二内部空间。 |
