| 摘要 |
本发明提供一种能够简化构造并提高信赖性的半导体装置。其特征为：在半导体基板的主表面形成形凸状的半导体层FIN，在该半导体层形通道区域，源区域及汲区域。在该半导体层的相对向之侧壁的通道区域的表面，形成一对的第一绝缘膜Gox＜12＞及一对的闸电极G＜12＞。在该半导体层的源区域近傍设置沟漕电容器TC＜03＞、TC＜23＞，其一方的电极电气性连接源区域。然后，在该一对闸电极之形成该第一绝缘膜之面的对面侧之面，与各该侧面相邻配置的沟漕电容器之间，设置比第一绝缘膜的膜厚度更厚的第二绝缘膜47。因闸电极受闸绝缘Gox与膜厚更厚的环形绝缘膜47挟持之构造，故可提高信赖性。 |
