一种制造可变长度垂直电晶体之新颖方法

摘要

一种用于制造垂直CMOS元件之制程，其系以可变通道长度为特征，通道区开口系定义为混合绝缘堆叠，其系具有由混合绝缘堆叠厚度所决定的特殊元件的通道长度，在特定区中选择性的移除混合绝缘堆叠的特殊成分，以提供要变化的通道开口深度。一种随后磊晶矽成长制程系填充可变深度通道开口，以提供垂直CMOS元件的可变长度通道区。