发明名称 |
具有混合电介层之可靠低K互连结构RELIABLE LOW-K INTERCONNECT STRUCTURE WITH HYBRID DIELECTRIC |
摘要 |
本发明揭示一种具有一混合电介质之高阶后段制程(BEOL)互连结构。用于通孔层阶之层间电介质(ILD)较佳不同于用于线层阶之ILD。在一较佳实施例中,通孔层阶之ILD由一低kSiCOH材料形成,而线层阶之ILD则由一低k聚合热固性材料形成。 |
申请公布号 |
TW200419714 |
申请公布日期 |
2004.10.01 |
申请号 |
TW092130322 |
申请日期 |
2003.10.30 |
申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
约翰A. 菲兹西蒙斯;史帝芬E. 格瑞可;佳 李;史帝芬M. 盖斯;泰瑞 史波纳;马修S. 安雅;哈比 希奇力;西欧多罗斯E. 史坦达特;格兰A. 比利 |
分类号 |
H01L21/768;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |