发明名称 具有混合电介层之可靠低K互连结构RELIABLE LOW-K INTERCONNECT STRUCTURE WITH HYBRID DIELECTRIC
摘要 本发明揭示一种具有一混合电介质之高阶后段制程(BEOL)互连结构。用于通孔层阶之层间电介质(ILD)较佳不同于用于线层阶之ILD。在一较佳实施例中,通孔层阶之ILD由一低kSiCOH材料形成,而线层阶之ILD则由一低k聚合热固性材料形成。
申请公布号 TW200419714 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092130322 申请日期 2003.10.30
申请人 万国商业机器公司 发明人 约翰A. 菲兹西蒙斯;史帝芬E. 格瑞可;佳 李;史帝芬M. 盖斯;泰瑞 史波纳;马修S. 安雅;哈比 希奇力;西欧多罗斯E. 史坦达特;格兰A. 比利
分类号 H01L21/768;H01L23/532 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国