单位元非挥发记忆胞元及其规划与抹除方法

摘要

本案介绍一种可以在超低电压操作之单一位元，非导电浮动闸记忆胞元。使用基板偏压以促进载子至浮动闸内的注入，产生较低的电压以规划并抹除记忆胞元。此记忆胞元被设置在垂直规划线之位元线与字元线阵列中。每一行中的相邻记忆胞元分享一共用源极或一共用汲极点。此位元线连接每一行的源极点，而规划线在每一行的对应点中连接记忆胞元之汲极点。降低的规划电压允许位元线上较低规划抑制电压的使用。