具透明导电层之发光装置

摘要

本创作系有关一种具透明导电层之发光装置，其包含有：一基板；在该基板上表面形成一n型半导体层，及p型半导体层的接合结构体；一在n型半导体层而形成的n电极；其特征在于：该p型半导体层上设有由多数之点状、网状及蜂巢状任一型态所构成之欧姆接触均布层；以及一覆盖在前述欧姆接触均布层之透明导电层。藉此，以特殊型态构成之欧姆接触均布层，搭配由ITO、ZnO所构成之透明导电层，两者相辅相成，以增进电流之分布，并得以提升透光度及导电度者。

主权项

1.一种具透明导电层之发光装置,包含有: 一基板; 在该基板上表面形成一n型半导体层,及p型半导体 层的接合结构体; 一在n型半导体层而形成的n电极;其特征在于: 该p型半导体层上设有由多数之点状、网状及蜂巢 状任一型态所构成之欧姆接触均布层;以及 一覆盖在前述欧姆接触均布层之透明导电层。 2.如申请专利范围第1项所述之具透明导电层之发 光装置,其中,该欧姆接触均布层系选自钯(Pd)、银( Ag)、钯银合金(PdAg)、铑(Rh)、镍金合金(NiAu)及氧化 镍(NiO)任一材料所构成。 3.如申请专利范围第1项所述之具透明导电层之发 光装置,其中,该透明导电层系选自氧化钛铟(ITO)、 氧化锌(ZnO)任一材料所构成。 4.如申请专利范围第1项所述之具透明导电层之发 光装置,其中,该P型半导体层局部上形成一P电极。 图式简单说明: 第一图系习用发光装置之上视图。 第二图系第一图中2-2断面之剖示图。 第三图系本创作之一实施例之上视图。 第四图系第三图中4-4断面之剖示图。 第五图系本创作另一实施例之上视图。 第六图系本创作又一实施例之上视图。