发明名称 带电防止用分散液与带电防止膜及画像显示装置
摘要 该带电防止用分散液系含有作为主成分具有106~109Ω.cm之固有电阻值的高电阻性微粒子。以喷涂或刷毛涂等之简便方法涂布该分散液并使之烧成。可得到对于电阻值之膜厚及环境之依存性较小,具有安定之带电防止特性的带电防止膜。2 作为高电阻性微粒子,有从其有烧绿石(Pyrohlore)型结晶构造的五氧化锑Sb2O5、或SnO2、In2O3、Sb2O5、ZnO2所选择之至少一种的半导电性物质之芯层,及具有从SiO2、TiO2、Al2O3、 ZrO2所选择之至少一种绝缘性物质之被覆层的微粒子。此种带电防止膜,在形成在配置于真空外围器内之绝缘构件之表面的画像显示装置,不会产生因施加电压所产生的放出电子之轨道变形或管内火花或因漏电流所产生的显示特性之劣化,可实现安定之优异的显示特性。
申请公布号 TWI221622 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW090122500 申请日期 2001.09.11
申请人 东芝股份有限公司 发明人 伊藤武夫;小柳津刚;三上启;田仁
分类号 H01J29/84;H01J31/12 主分类号 H01J29/84
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种带电防止用分散液,其特征为:将具有106~109 .cm之固有电阻値的高电阻性微粒子含有作为主 成分者。 2.如申请专利范围第1项所述之带电防止用分散液, 其中,上述高电阻性微粒子具有烧绿石型结晶构造 的五氧化锑(Sb2O5)。 3.如申请专利范围第1项所述之带电防止用分散液, 其中,上述高电阻性微粒子具有,从SnO2、In2O3、Sb2O5 、ZnO2所选择之至少一种半导电性物质所构成的芯 层,及从形成于该芯层之外周的SiO2、TiO2、Al2O3、 ZrO2所选择之至少一种绝缘性物质所构成的被覆层 。 4.如申请专利范围第1项所述之带电防止用分散液, 其中,上述高电阻性微粒子之粒径系5~100nm。 5.一种带电防止膜,属于形成于保持在真空环境中 之绝缘基材之表面的带电防止膜,其特征为:以具 有106~109.cm之固有电阻値的高电阻性微粒子作为 主体所构成。 6.如申请专利范围第5项所述之带电防止膜,其中, 上述高电阻性微粒子具有烧绿石型结晶构造的五 氧化锑(Sb2O5)。 7.如申请专利范围第5项所述之带电防止膜,其中, 上述高电阻性微粒子具有:从SnO2、In2O3、Sb2O5、ZnO2 所选择之至少一种半导电性物质所构成的芯层,及 从形成于该芯层之外周的SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2所 选择之至少一种绝缘性物质所构成的被覆层。 8.如申请专利范围第5项所述之带电防止膜,其中, 上述高电阻性微粒子之粒径系5~100nm。 9.一种画像显示装置,系具备:具有透光性面板且内 部保持在真空的真空外围器,及形成于上述透光性 面板之内面的萤光体层,及配置于上述真空外围器 之内部的电子放出手段的画像显示装置,其特征为 : 在配置于上述真空外围器内之绝缘构件之表面,具 有申请专利范围所述之带电防止膜。 10.如申请专利范围第9项所述之画像显示装置,其 中,上述带电防止膜之膜厚系50~1000nm。 11.如申请专利范围第9项所述之画像显示装置,其 中,上述带电防止膜系被覆上述绝缘构件之表面积 之20%以上所构成者。 图式简单说明: 第1图系概略地表示对于本发明之带电防止膜与习 知之带电防止膜的各该膜厚与表面电阻値之关系 的图表。 第2图系表示本发明之带电防止膜之概略构成的剖 视图。 第3图系表示本发明的画像显示装置之第一实施例 之彩色阴极射线管之概略构成的剖视图。 第4图系表示本发明的画像显示装置之第二实施例 之FED之概略构成的剖视图。
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