| 主权项 |
1.一种半导体发光元件之制造方法,其系藉由使形 成发光元件构造之氮化物系III-V族化合物半导体 层生长于氮化物系III-V族化合物半导体基板上,其 系于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区 域中,规则性排列具有高于第一平均差排密度之第 二平均差排密度之数个第二区域,来制造半导体发 光元件,其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式,在上述氮化物 系III-V族化合物半导体基板上划定元件区域。 2.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中系以实质上不含上述第二区域之方式决 定上述元件区域之大小及配置。 3.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述数个第二区域系周期性排列。 4.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述数个第二区域系以六方晶格状周期 性排列。 5.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述数个第二区域系以长方形晶格状周 期性排列。 6.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述数个第二区域系以正方形晶格状周 期性排列。 7.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述元件区域系长方形。 8.如申请专利范围第7项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述元件区域之彼此相对的一对边系平 行于<1-100>方向,另外彼此相对之一对边系平行于< 11-20>方向。 9.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述元件区域系正方形。 10.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中彼此邻接之两个上述第二区域的间隔系 在20m以上。 11.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中彼此邻接之两个上述第二区域的间隔系 在50m以上。 12.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中彼此邻接之两个上述第二区域的间隔系 在100m以上。 13.如申请专利范围第3项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之排列周期系在20m以上 。 14.如申请专利范围第3项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之排列周期系在50m以上 。 15.如申请专利范围第3项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之排列周期系在100m以 上。 16.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域系贯通上述氮化物系III-V 族化合物半导体基板。 17.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域具有不定多角柱状之形状 。 18.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中于上述第一区域与第二区域之间设有第 三区域,其具有比上述第一平均差排密度高,且比 上述第二平均差排密度低之第三平均差排密度。 19.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中系以实质上不含上述第二区域及上述 第三区域之方式划定上述元件区域。 20.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之直径系在10m以上,100 m以下。 21.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之直径系在20m以上,50 m以下。 22.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述第三区域之直径大于第二区域之 直径20m以上,200m以下。 23.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述第三区域之直径大于第二区域之 直径40m以上,160m以下。 24.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述第三区域之直径大于第二区域之 直径60m以上,140m以下。 25.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之平均差排密度在上述第 一区域之平均差排密度的5倍以上。 26.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第二区域之平均差排密度在1108cm-2 以上。 27.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述第一区域之平均差排密度在2106cm-2 以下,上述第二区域之平均差排密度在1108cm-2以上 。 28.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述第一区域之平均差排密度在2106 cm-2以下,上述第二区域之平均差排密度在1108cm-2 以上,上述第三区域之平均差排密度小于1108cm-2, 大于2106cm-2。 29.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件之发光区域自上述 第二区域相离1m以上。 30.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件之发光区域自上述 第二区域相离10m以上。 31.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件之发光区域自上述 第二区域相离100m以上。 32.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述半导体发光元件之发光区域不含 上述第二区域及上述第三区域。 33.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件中,驱动电流经由 带状电极流入的区域自上述第二区域相离1m以 上。 34.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件中,驱动电流经由 带状电极流入的区域自上述第二区域相离10m以 上。 35.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件中,驱动电流经由 带状电极流入的区域自上述第二区域相离100m以 上。 36.如申请专利范围第18项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述半导体发光元件中,驱动电流经 由带状电极流入的区域不含上述第二区域及上述 第三区域。 37.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述元件区域之轮廓线包含连接彼此邻 接之至少两个上述第二区域的直线。 38.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述 第二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述氮化物 系III-V族化合物半导体层之上述氮化物系III-V族化 合物半导体基板的划割。 39.如申请专利范围第38项之半导体发光元件之制 造方法,其中系藉由劈开来进行上述划割。 40.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述元件区域之轮廓线自上述第二区域 相离1m以上。 41.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中沿着自上述第二区域相离1m以上的轮 廓线,进行生长有上述氮化物系III-V族化合物半导 体层之上述氮化物系III-V族化合物半导体基板的 划割。 42.如申请专利范围第41项之半导体发光元件之制 造方法,其中系藉由劈开来进行上述划割。 43.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述氮化物系III-V族化合物半导体基板 包含AlxByGa1-x-y-zInzAsuN1-u-vPv(其中,0≦x≦1,0≦y≦1,0 ≦z≦1,0≦u≦1,0≦v≦1,0≦x+y+z<1,0≦u+v<1)。 44.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述氮化物系III-V族化合物半导体基板 包含AlxByGa1-x-y-zInzN(其中,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,0 ≦x+y+z<1)。 45.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述氮化物系III-V族化合物半导体基板 包含AlxGa1-x-zInzN(其中,0≦x≦1,0≦z≦1)。 46.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述氮化物系III-V族化合物半导体基板 包含氮化镓。 47.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件系半导体雷射。 48.如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造 方法,其中上述半导体发光元件系发光二极体。 49.一种半导体发光元件之制造方法,其特征为包含 下述步骤: 使形成发光元件构造之氮化物系III-V族化合物半 导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体基板 上,其系于包含具有第一平均差排密度之结晶之第 一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均差排 密度之第二平均差排密度之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述氮化物系 III-V族化合物半导体层之上述氮化物系III-V族化合 物半导体基板的划割制造而成。 50.一种半导体发光元件, 其系使形成发光元件构造之氮化物系III-V族化合 物半导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体 基板上,其系于包含具有第一平均差排密度之结晶 之第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均 差排密度之第二平均差排密度之数个第二区域,其 特征为: 上述氮化物系III-V族化合物半导体基板之端面或 角部至少存在一个上述第二区域。 51.一种半导体发光元件之制造方法, 其系藉由使形成发光元件构造之氮化物系III-V族 化合物半导体层生长于氮化物系III-V族化合物半 导体基板上,其系于包含有具第一平均缺陷密度之 结晶之第一区域中规则性排列有具高于上述第一 平均缺陷密度之第二平均缺陷密度之数个第二区 域的,来制造半导体发光元件,其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式,在上述氮化物 系III-V族化合物半导体基板上划定元件区域。 52.一种半导体发光元件之制造方法,其特征为包含 下述步骤: 使形成发光元件构造之氮化物系III-V族化合物半 导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体基板 上,其系于包含具有第一平均缺陷密度之结晶之第 一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均缺陷 密度之第二平均缺陷密度之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述氮化物系 III-V族化合物半导体层之上述氮化物系III-V族化合 物半导体基板的划割制造而成。 53.一种半导体发光元件, 其系使形成发光元件构造之氮化物系III-V族化合 物半导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体 基板上,其系包含具有第一平均缺陷密度之结晶之 第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均缺 陷密度之第二平均缺陷密度之数个第二区域,其特 征为: 上述氮化物系III-V族化合物半导体基板之端面或 角部至少存在一个上述第二区域。 54.一种半导体发光元件之制造方法, 其系藉由使形成发光元件构造之氮化物系III-V族 化合物半导体层生长于氮化物系III-V族化合物半 导体基板上,其系于包含结晶之第一区域中,规则 性排列有结晶性比该第一区域差之数个第二区域, 来制造半导体发光元件,其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式划定元件区域 。 55.如申请专利范围第54项之半导体发光元件之制 造方法,其中上述第一区域系单晶,上述第二区域 系单晶、多晶或非晶质,或同时混存此等两个以上 者。 56.一种半导体发光元件之制造方法,其特征为包含 下述步骤: 使形成发光元件构造之氮化物系III-V族化合物半 导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体基板 上,其系于包含结晶之第一区域中,规则性排列有 结晶性比该第一区域差之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述氮化物系 III-V族化合物半导体层之上述氮化物系III-V族化合 物半导体基板的划割制造而成。 57.一种半导体发光元件, 其系使形成发光元件构造之氮化物系III-V族化合 物半导体层,生长于氮化物系III-V族化合物半导体 基板上,其系于包含结晶之第一区域中,规则性排 列有结晶性比该第一区域差之数个第二区域的,其 特征为: 上述氮化物系III-V族化合物半导体基板之端面或 角部至少存在一个上述第二区域。 58.一种半导体元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之氮化物系III-V族化合 物半导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体 基板上,其系于包含具有第一平均差排密度之结晶 之第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均 差排密度之第二平均差排密度之数个第二区域,来 制造半导体元件,其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式,在上述氮化物 系III-V族化合物半导体基板上划定元件区域。 59.一种半导体元件之制造方法,其特征为包含下述 步骤: 使形成元件构造之氮化物系III-V族化合物半导体 层生长于氮化物系III-V族化合物半导体基板上,其 系于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区 域中,规则性排列有具高于上述第一平均差排密度 之第二平均差排密度之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述氮化物系 III-V族化合物半导体层之上述氮化物系III-V族化合 物半导体基板的划割制造而成。 60.一种半导体元件, 其系使形成元件构造之氮化物系III-V族化合物半 导体层生长于氮化物系III-V族化合物半导体基板 上,其系于包含具有第一平均差排密度之结晶之第 一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均差排 密度之第二平均差排密度之数个第二区域,其特征 为: 上述氮化物系III-V族化合物半导体基板之端面或 角部至少存在一个上述第二区域。 61.一种半导体发光元件之制造方法, 其系藉由使形成发光元件构造之半导体层生长于 半导体基板上,其系于包含具有第一平均差排密度 之结晶之第一区域中,规则性排列有具高于上述第 一平均差排密度之第二平均差排密度之数个第二 区域,来制造半导体发光元件,其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式,在上述半导体 基板上划定元件区域。 62.一种半导体发光元件之制造方法,其特征为包含 下述步骤: 使形成发光元件构造之半导体层生长于半导体基 板上,其系于包含具有第一平均差排密度之结晶之 第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均差 排密度之第二平均差排密度之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述半导体层 之上述半导体基板的划割制造而成。 63.一种半导体发光元件, 其系使形成发光元件构造之半导体层生长于半导 体基板上,其系包含具有第一平均差排密度之结晶 之第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均 差排密度之第二平均差排密度之数个第二区域,其 特征为: 上述半导体基板之端面或角部至少存在一个上述 第二区域。 64.一种半导体元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之半导体层生长于半导 体基板上,其系于包含具有第一平均差排密度之结 晶之第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平 均差排密度之第二平均差排密度之数个第二区域, 来制造半导体元件,其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式,在上述半导体 基板上划定元件区域。 65.一种半导体元件之制造方法,其特征为包含下述 步骤: 使形成元件构造之半导体层生长于半导体基板上, 其系于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一 区域中,规则性排列有具高于上述第一平均差排密 度之第二平均差排密度之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述半导体层 之上述半导体基板的划割制造而成。 66.一种半导体元件, 其系使形成元件构造之半导体层生长于半导体基 板上,其系于包含具有第一平均差排密度之结晶之 第一区域中,规则性排列有具高于上述第一平均差 排密度之第二平均差排密度之数个第二区域,其特 征为: 上述半导体基板之端面或角部至少存在一个上述 第二区域。 67.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域 中,规则性排列有具高于上述第一平均差排密度之 第二平均差排密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 以实质上不含上述第二区域之方式,在上述基板上 划定元件区域。 68.一种电子元件之制造方法,其特征为包含下述步 骤: 使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包含具 有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,规则性 排列有具高于上述第一平均差排密度之第二平均 差排密度之数个第二区域, 并藉由沿着包含连接彼此邻接之至少两个上述第 二区域之直线的轮廓线,进行生长有上述层之上述 基板的划割制造而成。 69.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,规 则性排列有具高于上述第一平均差排密度之第二 平均差排密度之数个第二区域,其特征为: 上述基板之端面或角部至少存在一个上述第二区 域。 70.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域 中,规则性排列有具高于上述第一平均差排密度之 第二平均差排密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 以上述元件之活性区域内不含上述第二区域之方 式,在上述基板上划定元件区域。 71.如申请专利范围第70项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 72.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,规 则性排列有具高于上述第一平均差排密度之第二 平均差排密度之数个第二区域,其特征为: 上述基板之内部、端面或角部至少存在一个上述 第二区域,且上述元件之活性区域内不含上述第二 区域。 73.如申请专利范围第72项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 74.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域 中,规则性排列有具高于上述第一平均缺陷密度之 第二平均缺陷密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 以上述元件之活性区域内不含上述第二区域之方 式,在上述基板上划定元件区域。 75.如申请专利范围第74项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 76.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域中规 则性排列有具高于上述第一平均缺陷密度之第二 平均缺陷密度之数个第二区域,其特征为: 上述基板之内部、端面或角部至少存在一个上述 第二区域,且上述元件之活性区域内不含上述第二 区域。 77.如申请专利范围第76项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 78.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含结晶之第一区域中,规则性排列有结晶性比 该第一区域差之数个第二区域,来制造元件,其特 征为: 以上述元件之活性区域内不含上述第二区域之方 式划定元件区域。 79.如申请专利范围第78项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 80.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含结晶之第一区域中规则性排列有结晶性比该第 一区域差之数个第二区域,其特征为: 上述基板之内部、端面或角部至少存在一个上述 第二区域,且上述元件之活性区域内不含上述第二 区域。 81.如申请专利范围第80项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 82.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域 中,在第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向 直交之第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间 隔,规则性排列有具高于上述第一平均差排密度之 第二平均差排密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 以实质上不含7条以上上述第二方向之上述第二区 域之行,且上述元件之活性区域内不含上述第二区 域之方式,在上述基板上划定元件区域。 83.如申请专利范围第82项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 84.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,在 第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向直交之 第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间隔,规 则性排列有具高于上述第一平均差排密度之第二 平均差排密度之数个第二区域,其特征为: 上述基板上实质上不含7条以上上述第二方向之上 述第二区域之行,且上述元件之活性区域内不含上 述第二区域。 85.如申请专利范围第84项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 86.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域 中,在第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向 直交之第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间 隔,规则性排列有具高于上述第一平均缺陷密度之 第二平均缺陷密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 以实质上不含7条以上上述第二方向之上述第二区 域之行,且上述元件之活性区域内不含上述第二区 域之方式,在上述基板上划定元件区域。 87.如申请专利范围第86项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 88.一种电子元件, 其系形成元件构造之层生长于基板上,其系于包含 具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域中,在第 一方向上以第一间隔,在与上述第一方向直交之第 二方向上,以小于上述第一间隔之第二间隔,规则 性排列有具高于上述第一平均缺陷密度之第二平 均缺陷密度之数个第二区域,其特征为: 上述基板上实质上不含7条以上上述第二方向之上 述第二区域之行,且上述元件之活性区域内不含上 述第二区域。 89.如申请专利范围第88项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 90.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含结晶之第一区域中,在第一方向上以第一间 隔,在与上述第一方向直交之第二方向上,以小于 上述第一间隔之第二间隔,规则性排列有结晶性比 该第一区域差之数个第二区域,来制造元件,其特 征为: 以实质上不含7条以上上述第二方向之上述第二区 域之行,且上述元件之活性区域内不含上述第二区 域之方式,在上述基板上划定元件区域。 91.如申请专利范围第90项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 92.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含结晶之第一区域中,在第一方向上以第一间隔, 在与上述第一方向直交之第二方向上,以小于上述 第一间隔之第二间隔,规则性排列有结晶性比该第 一区域差之数个第二区域,其特征为: 上述基板上实质上不含7条以上上述第二方向之上 述第二区域之行,且上述元件之活性区域内不含上 述第二区域。 93.如申请专利范围第92项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 94.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域 中,在第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向 直交之第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间 隔,规则性排列有具高于上述第一平均差排密度之 第二平均差排密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 上述第一间隔在50m以上,以上述第二方向之上述 第二区域之行包含1条以上,且上述元件之活性区 域内不含上述第二区域之方式,在上述基板上划定 元件区域。 95.如申请专利范围第94项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 96.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,在 第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向直交之 第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间隔,规 则性排列有具高于上述第一平均差排密度之第二 平均差排密度之数个第二区域,其特征为: 上述第一间隔在50m以上,上述基板上包含1条以 上上述第二方向之上述第二区域之行,且上述元件 之活性区域内不含上述第二区域。 97.如申请专利范围第96项之电子元件,其中上述基 板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元件 系半导体发光元件。 98.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域 中,在第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向 直交之第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间 隔,规则性排列有具高于上述第一平均缺陷密度之 第二平均缺陷密度之数个第二区域,来制造元件, 其特征为: 上述第一间隔在50m以上,以上述第二方向之上述 第二区域之行包含1条以上,且上述元件之活性区 域内不含上述第二区域之方式,在上述基板上划定 元件区域。 99.如申请专利范围第98项之电子元件之制造方法, 其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 100.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域中,在 第一方向上以第一间隔,在与上述第一方向直交之 第二方向上,以小于上述第一间隔之第二间隔,规 则性排列有具高于上述第一平均缺陷密度之第二 平均缺陷密度之数个第二区域,其特征为: 上述第一间隔在50m以上,上述基板上包含1条以 上上述第二方向之上述第二区域之行,且上述元件 之活性区域内不含上述第二区域。 101.如申请专利范围第100项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 102.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含结晶之第一区域中,在第一方向上以第一间 隔,在与上述第一方向直交之第二方向上,以小于 上述第一间隔之第二间隔,规则性排列有结晶性比 该第一区域差之数个第二区域,来制造元件,其特 征为: 上述第一间隔在50m以上,以上述第二方向之上述 第二区域之行包含1条以上,且上述元件之活性区 域内不含上述第二区域之方式,在上述基板上划定 元件区域。 103.如申请专利范围第102项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 104.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含结晶之第一区域中,在第一方向上以第一间隔, 在与上述第一方向直交之第二方向上,以小于上述 第一间隔之第二间隔,规则性排列有结晶性比该第 一区域差之数个第二区域,其特征为: 上述第一间隔在50m以上,上述基板上包含1条以 上上述第二方向之上述第二区域之行,且上述元件 之活性区域内不含上述第二区域。 105.如申请专利范围第104项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 106.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域 中,相互平行地规则性排列有具高于上述第一平均 差排密度之第二平均差排密度之直线状延伸之数 个第二区域,来制造元件,其特征为: 以实质上不含7条以上上述第二区域,且上述元件 之活性区域内不含上述第二区域之方式,在上述基 板上划定元件区域。 107.如申请专利范围第106项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 108.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,相 互平行地规则性排列有具高于上述第一平均差排 密度之第二平均差排密度之直线状延伸之数个第 二区域,其特征为: 上述基板上实质上不含7条以上上述第二区域,且 上述元件之活性区域内不含上述第二区域。 109.如申请专利范围第108项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 110.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域 中,相互平行地规则性排列有具高于上述第一平均 缺陷密度之第二平均缺陷密度之直线状延伸之数 个第二区域,来制造元件,其特征为: 以实质上不含7条以上上述第二区域,且上述元件 之活性区域内不含上述第二区域之方式,在上述基 板上划定元件区域。 111.如申请专利范围第110项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 112.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域中,相 互平行地规则性排列有具高于上述第一平均缺陷 密度之第二平均缺陷密度之直线状延伸之数个第 二区域,其特征为: 上述基板上实质上不含7条以上上述第二区域,且 上述元件之活性区域内不含上述第二区域。 113.如申请专利范围第112项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 114.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含结晶之第一区域中,相互平行地规则性排列 有结晶性比该第一区域差之直线状延伸之数个第 二区域,来制造元件,其特征为: 以实质上不含7条以上上述第二区域,且上述元件 之活性区域内不含上述第二区域之方式,在上述基 板上划定元件区域。 115.如申请专利范围第114项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 116.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含结晶之第一区域中,相互平行地规则性排列有结 晶性比该第一区域差之直线状延伸之数个第二区 域的,其特征为: 上述基板上实质上不含7条以上上述第二区域,且 上述元件之活性区域内不含上述第二区域。 117.如申请专利范围第116项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 118.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域 中,相互平行地规则性排列有具高于上述第一平均 差排密度之第二平均差排密度之直线状延伸之数 个第二区域,来制造元件,其特征为: 上述第二区域之间隔在50m以上,以含1条以上上 述第二区域,且上述元件之活性区域内不含上述第 二区域之方式,在上述基板上划定元件区域。 119.如申请专利范围第118项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 120.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均差排密度之结晶之第一区域中,相 互平行地规则性排列有具高于上述第一平均差排 密度之第二平均差排密度之直线状延伸之数个第 二区域,其特征为: 上述第二区域之间隔在50m以上,上述基板上含1 个以上上述第二区域,且上述元件之活性区域内不 含上述第二区域。 121.如申请专利范围第120项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 122.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域 中,相互平行地规则性排列有具高于上述第一平均 缺陷密度之第二平均缺陷密度之直线状延伸之数 个第二区域,来制造元件,其特征为: 上述第二区域之间隔在50m以上,以含1条以上上 述第二区域,且上述元件之活性区域内不含上述第 二区域之方式,在上述基板上划定元件区域。 123.如申请专利范围第122项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 124.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含具有第一平均缺陷密度之结晶之第一区域中,相 互平行地规则性排列有具高于上述第一平均缺陷 密度之第二平均缺陷密度之直线状延伸之数个第 二区域,其特征为: 上述第二区域之间隔在50m以上,上述基板上含1 条以上上述第二区域,且上述元件之活性区域内不 含上述第二区域。 125.如申请专利范围第124项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 126.一种电子元件之制造方法, 其系藉由使形成元件构造之层生长于基板上,其系 于包含结晶之第一区域中,相互平行地规则性排列 有结晶性比该第一区域差之直线状延伸之数个第 二区域,来制造元件,其特征为: 上述第二区域之间隔在50m以上,以含1条以上上 述第二区域,且上述元件之活性区域内不含上述第 二区域之方式,在上述基板上划定元件区域。 127.如申请专利范围第126项之电子元件之制造方法 ,其中上述基板系氮化物系III-V族化合物半导体基 板,上述元件系半导体发光元件。 128.一种电子元件, 其系使形成元件构造之层生长于基板上,其系于包 含结晶之第一区域中,相互平行地规则性排列有结 晶性比该第一区域差之直线状延伸之数个第二区 域,其特征为: 上述第二区域之间隔在50m以上,上述基板上含1 条以上上述第二区域,且上述元件之活性区域内不 含上述第二区域。 129.如申请专利范围第128项之电子元件,其中上述 基板系氮化物系III-V族化合物半导体基板,上述元 件系半导体发光元件。 图式简单说明: 图1A及图1B系说明本发明实施形态要点用的斜视图 及剖面图, 图2系说明本发明之实施形态要点用的平面图, 图3系说明本发明之实施形态要点用的平面图, 图4系说明本发明之实施形态要点用的平面图, 图5系说明本发明之实施形态要点用的平面图, 图6系说明本发明第一种实施形态之氮化镓系半导 体雷射之制造方法用的平面图, 图7系显示本发明第一种实施形态使用之氮化镓基 板之高缺陷区域近旁之一种差排密度分布的简略 线图, 图8系说明本发明第一种实施形态之氮化镓系半导 体雷射之制造方法用的平面图, 图9系说明本发明第一种实施形态之氮化镓系半导 体雷射之制造方法用的剖面图, 图10系说明本发明第一种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的剖面图, 图11系说明本发明第一种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的剖面图, 图12系说明本发明第二种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的剖面图, 图13系显示本发明第二种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法中,藉由划割所获得之晶片端 面的简略线图, 图14系说明本发明第三种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图15系说明本发明第四种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图16系说明本发明第五种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图17系说明本发明第六种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图18系说明本发明第七种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图19系显示藉由本发明之第七种实施形态所制造 之氮化镓系半导体雷射的剖面图, 图20系说明本发明第八种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图21系显示藉由本发明之第八种实施形态所制造 之氮化镓系半导体雷射的剖面图, 图22系说明本发明第九种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图23系说明本发明第十种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图24系说明本发明第十种实施形态之氮化镓系半 导体雷射之制造方法用的平面图, 图25系说明本发明第十一种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图26系说明本发明第十二种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图27系说明本发明第十三种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图28系说明本发明第十四种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图29系说明本发明第十五种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图30系说明本发明第十六种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图31系说明本发明第十六种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图32系说明本发明第十七种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图33系说明本发明第十八种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图34系说明本发明第十九种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图35系说明本发明第二十种实施形态之氮化镓系 半导体雷射之制造方法用的平面图, 图36系说明本发明第二十一种实施形态之氮化镓 系半导体雷射之制造方法用的平面图。 |
