| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAUX MONOCRISTALLINS |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de réalisation d'un cristal en un premier matériau monocristallin, comportant :- une étape d'assemblage d'un premier substrat (2) et d'au moins un film (4) ou d'au moins une couche en un second matériau monocristallin (6),- une étape de croissance dudit premier matériau sur le film ou la couche mince.</P> |
| 申请公布号 |
FR2852974(A1) |
申请公布日期 |
2004.10.01 |
| 申请号 |
FR20030003928 |
申请日期 |
2003.03.31 |
| 申请人 |
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES |
发明人 |
LETERTRE FABRICE |
| 分类号 |
C30B25/02;C30B25/18;C30B29/66;C30B33/00;H01L21/20 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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