| 发明名称 |
MOS-Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4024728(B4) |
申请公布日期 |
2004.09.30 |
| 申请号 |
DE19904024728 |
申请日期 |
1990.08.03 |
| 申请人 |
FUJI ELECTRIC CO., LTD. |
发明人 |
NISHIURA, MASAHARU;FUJIHIRA, TATSUHIKO |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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