发明名称 Bondsystem und Halbleitersubstratherstellungsvefahren
摘要 In einer Kammer (201), deren Inneres von einem Außenraum isoliert ist, ist eine Einheit (210) untergebracht, die ein erstes und ein zweites Substrat übereinander legt, nachdem die Oberflächen des ersten und zweiten Substrats gereinigt und/oder aktiviert wurden. In der von dem Außenraum isolierten Kammer (201) wird der Oberflächenzustand der Oberflächen des ersten und zweiten Substrats gemessen und werden die Oberflächen des ersten und zweiten Substrats auf der Grundlage dieses Messergebnisses gereinigt. Erst dann werden das erste und zweite Substrat übereinander gelegt.
申请公布号 DE102004009647(A1) 申请公布日期 2004.09.30
申请号 DE200410009647 申请日期 2004.02.27
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 YANAGITA, KAZUTAKA;YAMAGATA, KENJI
分类号 H01L21/02;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/58;H01L21/84 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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