闪存的制造方法

摘要

一种闪存的制造方法，提供一基底，在基底上形成数个浮置栅极结构，其中浮置栅极由介电层所包覆，且浮置栅极之间的间隔主要是作为源极或是漏极与控制栅极信道的预定位置。接着再形成多晶硅层覆盖于介电层与浮置栅极上，之后再依序形成顶盖层与缓冲层覆盖于多晶硅层上。其中浮置栅极之间较大的间隔，由于上述多层的覆盖将造成明显的凹陷处，此凹陷处会自行对准较大间隔的处，使得两旁预留的控制栅极信道长度一致。之后再以数道微影、蚀刻制程同时形成控制栅极、漏极与源极的位置。

主权项

1、一种闪存的制造方法，其特征在于：其至少包括：提供一基底，其中基底具有复数个浮置栅极，且这些浮置栅极之间分别以第一宽度与第二宽度相间隔；形成一多晶硅层、一顶盖层与一缓冲层于该基底上，其中该第一宽度上方的该缓冲层具有一明显的凹陷处；进行一大角度的氧离子植入，将氧离子布值于凹陷处以外的缓冲层，并进行一回火步骤将缓冲层氧化，以于该凹陷处以外形成一氧化缓冲层；将未受氧化缓冲层覆盖的该顶盖层与缓冲层移除，以形成一开口结构；以及定义一控制栅极的位置，并将控制栅极位置以外的氧化缓冲层、一顶盖层及多晶硅层移除，再将控制栅极上方的氧化缓冲层移除，以同时形成控制栅极与漏极接触位置。