制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法利用清洗液来清洗具有接触孔的半导体器件，该清洗液可以调整掺杂氧化膜和非掺杂氧化膜之间的蚀刻速率，由此能够使半导体器件在清洗时其形状基本上不发生变化，并且能够使清洗能力长时间保持稳定。该清洗液是将有机酸铵盐加入到由氢氧化铵、过氧化氢和水组成的混合液(NH₄OH:H₂O₂:H₂O)中而制成的。所加入的有机酸铵盐是从乙酸铵、柠檬酸铵、甲酸铵和草酸铵中选出的一种或几种盐。有机酸铵盐为加入浓度为0.1mol/l到20mol/l。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，用清洗液对具有接触孔的半导体器件进行清洗，其中每个接触孔的环绕面处都有非掺杂氧化膜和掺杂氧化膜在此露出，该清洗液是通过把有机酸铵盐加入到氢氧化铵、过氧化氢和水的混合溶液中而形成的。