发明名称 激光器及其制造方法
摘要 一种半导体激光结构,包括高折射率的有源激光层;在有源层的每一侧面,有折射率渐变层;在各自折射率渐变层的每一侧有一低折射率的覆盖层,以及在一层或每层覆盖层之内插入至少一层光捕获层。该光捕获层,或它们中的每一层,与离有源层的距离相比是薄的,而覆盖诸层具有基本上相同的、均匀的折射率。因为这些特点结合的结果,在有用的范围内,仅通过选择光捕获层的厚度来设定约束因素子和仅通过选择它的位置来设定发散性就变得有可能了。
申请公布号 CN1533001A 申请公布日期 2004.09.29
申请号 CN200410030403.7 申请日期 2004.03.17
申请人 康宁O.T.I.有限公司 发明人 G·西斯洛蒂;P·布拉维蒂;G·巴克钦
分类号 H01S5/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 李家麟
主权项 1.一种包括高折射率的有源激光层;在有源层的每一侧,折射率渐变的薄层;以及在各自折射率渐变层的每一侧,低折射率的覆盖层,和在其中一覆盖层内插入的至少一层光捕获层的半导体激光器结构,其特征在于:(a)该光捕获层,或它们中的每一层,与离有源层的距离相比是薄的,以及(b)覆盖诸层具有基本上相同的、均匀的折射率。
地址 意大利圣多那托米兰尼斯