高触发电流的硅控整流器电路

摘要

一种高触发电流的硅控整流器，建构于半导体基底上并定义有一电性相异的阱区。阱区及半导体基底中分别形成一P掺杂区及一N掺杂区。其中，阱区中的P掺杂区及N掺杂区相连，做为硅控整流器电路的阳极；而半导体基底中的P掺杂区及N掺杂区则与形成于半导体基底与阱区界面的另一掺杂区连接，做为硅控整流器电路的阴极。此外，该硅控整流器电路的阳极及阴极亦可以单一掺杂区构成。

主权项

1.一种高触发电流的硅控整流器电路，形成于半导体基底，其特征是：它包括：一阱区，形成于该半导体基底且具有与该半导体基底相异的导电类型；一第一P掺杂区及一第一N掺杂区，形成于该阱区，并彼此连接以形成该硅控整流器电路的阳极；一第二P掺杂区及一第二N掺杂区，形成于该半导体基底；以及一界面掺杂区，形成于该半导体基底与该阱区界面，并连接该第二P掺杂区及该第二N掺杂区以形成该硅控整流器电路的阴极。