发明名称 |
MgB<SUB>2</SUB>超导薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种新型超导材料-MgB<SUB>2</SUB>薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法。其要点是:该方法使用含B和Mg的气态化合物作反应气,其在热丝(4)作用下裂解,反应生成MgB<SUB>2</SUB>化合物并在基片(6)上生长成为薄膜。用该方法制备的MgB<SUB>2</SUB>超导薄膜具有如下特征:薄膜中不含MgO杂相,超导零电阻转变温度T<SUB>c0</SUB>达到35K,这是目前国际上报道的原位制备的MgB<SUB>2</SUB>超导薄膜T<SUB>c0</SUB>的最高值。 |
申请公布号 |
CN1168847C |
申请公布日期 |
2004.09.29 |
申请号 |
CN02108906.X |
申请日期 |
2002.03.30 |
申请人 |
燕山大学 |
发明人 |
田永君;王天生;迟振华;胡前库;罗晓光;漆汉宏 |
分类号 |
C23C16/38 |
主分类号 |
C23C16/38 |
代理机构 |
秦皇岛市维信专利事务所 |
代理人 |
鄂长林 |
主权项 |
1.一种MgB2超导薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法,其特征在于:将真空室(10)抽真空到10-1Pa的背景压力,通入10∶(1-2)比例混合的氩气和氢气稀释气体;加热基片(6)至350-500℃;加热热丝(9)至900-1200℃;加热坩锅(3)至600-650℃使Mg蒸发,随即通入氩气稀释的10%体积含量的硼烷反应气体;并用质量流量计(1)、(11)控制混合的氩气和氢气稀释气体和氩气稀释的10%体积含量的硼烷反应气体的流量,工作压力为130-160Pa;硼烷裂解与Mg蒸气反应生成MgB2化合物或在基片(6)表面反应生成MgB2化合物并在基片(6)上生长成为薄膜。 |
地址 |
066004河北省秦皇岛市河北大街西段438号 |