发明名称 |
量子装置 |
摘要 |
所公开的是一种电子源10,该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2,复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51,在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52,存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63,以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成,碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触,而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。 |
申请公布号 |
CN1533608A |
申请公布日期 |
2004.09.29 |
申请号 |
CN03800686.3 |
申请日期 |
2003.03.07 |
申请人 |
松下电工株式会社;越田信义 |
发明人 |
菰田卓哉;越田信义;栎原勉 |
分类号 |
H01L29/06;H01L33/00;H01J1/312;H01J9/02 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
柳春琦 |
主权项 |
1、一种量子装置,其包含:下电极;形成于所述下电极上的硅层,所述硅层包含大量纳米晶体硅,从而能够响应所施加的电场而诱导量子效应;和形成于所述硅层上的碳薄膜,碳薄膜和纳米晶体硅相接触。 |
地址 |
日本国大阪府 |