发明名称 量子装置
摘要 所公开的是一种电子源10,该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2,复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51,在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52,存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63,以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成,碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触,而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。
申请公布号 CN1533608A 申请公布日期 2004.09.29
申请号 CN03800686.3 申请日期 2003.03.07
申请人 松下电工株式会社;越田信义 发明人 菰田卓哉;越田信义;栎原勉
分类号 H01L29/06;H01L33/00;H01J1/312;H01J9/02 主分类号 H01L29/06
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 柳春琦
主权项 1、一种量子装置,其包含:下电极;形成于所述下电极上的硅层,所述硅层包含大量纳米晶体硅,从而能够响应所施加的电场而诱导量子效应;和形成于所述硅层上的碳薄膜,碳薄膜和纳米晶体硅相接触。
地址 日本国大阪府