Vertical insulated gate field-effect transistor, method of making the same and corresponding integrated circuit,申请号EP19980302765-传众专利搜索

发明名称	Vertical insulated gate field-effect transistor, method of making the same and corresponding integrated circuit
摘要
申请公布号	EP0872895(B1)	申请公布日期	2004.09.29
申请号	EP19980302765	申请日期	1998.04.08
申请人	SHARP KABUSHIKI KAISHA	发明人	DEGAWA, TOSHIHIKO
分类号	H01L21/76;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78;H01L27/088;H01L29/04	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
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