发明名称 |
薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体器件,包括:在衬底上形成的薄膜晶体管,包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极,在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜;形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜;形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线;其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜;其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。 |
申请公布号 |
CN1532947A |
申请公布日期 |
2004.09.29 |
申请号 |
CN200410034293.1 |
申请日期 |
1997.02.23 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;宫永昭治;小山润;福永健司 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/20;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
梁永 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:在衬底上形成的薄膜晶体管,包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极,在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜;形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜;形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线;其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜;其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |