半导体激光器件和光盘装置

摘要

提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n－侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p－侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n－侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p－侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。

主权项

1.一种半导体激光器件，其中：在一n型GaAs衬底上至少叠置有一n型下包层、一下波导层、由一个或多个阱层与多个势垒层交替排列构成的一InGaAsP量子阱有源层、一上波导层和一p型上包层，其中：该量子阱有源层以如下方式堆叠，使一n-侧势垒层存在于该下波导层的一侧且一p-侧势垒层存在于该上波导层的一侧，所述半导体激光器件具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，并且该n-侧势垒层具有70或更大的厚度。