电容器结构及其制造方法

摘要

本发明的一个方案是半导体器件(20)中的电容器(94)，具有金属镶嵌沟槽(22)中的下铜极板(30)、下极板上的阻挡层(56，180a)、阻挡层上的介质层(60)以及介质层上的上极板(96)。本发明的另一方案是半导体器件的电容器(294，394)，具有相互隔开的两个下极板(230，231，330，331)、下极板上的介质层(260，360)，以及覆盖并优选延伸出下极板的介质层上的上极板(296，396)。本发明还包括制造以上介绍电容器结构的方法。

主权项

1.一种半导体器件中的电容器，包括：a.具有沟槽的第一层；b.设置在所述沟槽内的下极板，所述下极板由导电材料制成；c.覆盖所述下极板的阻挡层；d.所述阻挡层上的介质层；以及e.所述介质层上的上极板，所述上极板由导电材料制成，其中所述下极板具有上表面，并且所述阻挡层为提供在所述上表面的金属合金。