| 发明名称 | 浅凹槽隔离结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种浅凹槽隔离结构的制造方法。首先，将组合氮化硅沉积到硅基板上，再以组合氮化硅作为硬掩膜，对硅基板施以蚀刻形成一浅凹槽。然后，用CVD法，在浅凹槽与组合氮化硅表面上沉积填充氧化层。再使用化学机械研磨工艺，以组合氮化硅作为化学机械研磨终止点，对填充氧化层施行平坦化处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1169207C | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN01109789.2 | 申请日期 | 2001.04.24 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林启发;曾伟志;冯明宪 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种浅凹槽隔离结构的制造方法，适用于具有两个相隔的有源区一硅基板；该制造方法包括下列步骤：(a)一组合氮化硅层设置在该有源区上，该组合氮化硅层由至少二氮化硅层所组成，且该组合氮化硅层的硅/氮比由表层往该硅基板方向逐次递减；(b)一浅凹槽设置于该有源区间；(c)一牺牲填充氧化层设置于该浅凹槽内与该组合氮化硅层上；以及(d)以化学机械研磨(CMP)制程对牺牲填充氧化层施行平坦化处理。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||