| 发明名称 | 集成电路护层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路护层的结构，其形成于一具有组件的基底上，其包括：形成于基底上的UV氮化硅层(UVSiN)；形成于氮化硅层上的无掺杂硅玻璃层；以及形成于无掺杂硅玻璃层上的氮氧化硅层。其中，无掺杂硅玻璃层是以次常压化学气相沉积法(SACVD)形成的，而氮氧化硅层是以电浆化学气相沉积法(PECVD)形成的。本发明省去了固化程序，解决了Q－time的问题，具有简化制程、降低生产成本的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1532914A | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN03107922.9 | 申请日期 | 2003.03.25 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赵灿辉;洪天爵;吴雅雯;李世平;曾守亿 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/31;H01L21/768;H01L23/00 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种集成电路护层(passivation)的制造方法，包括以下的步骤：提供一基底(substrate)，其中，该基底上已形成有一金属内联机；于该基底上形成一个氮化硅层(SiN layer)；于该氮化硅层上形成一无掺杂硅玻璃层(SAUSG layer)；以及于该无掺杂硅玻璃层上形成一氮氧化硅层(SiON layer)。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||