| 发明名称 | 固态成像装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种固态成像装置，通过缩小邻接的栅电极之间的间隔而提高电荷的传送效率，在获得噪声较小的信号的同时，通过降低寄生电容可以降低耗电量。这种固态成像装置具有：形成于栅极绝缘膜上的、实质上具有平坦上面的第1栅电极；通过厚度小于光刻极限最小尺寸的绝缘膜，而在栅极绝缘膜上形成的第2栅电极，它与第1栅电极邻接而非重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN1532941A | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN200410007981.9 | 申请日期 | 2004.03.23 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 泉诚;冲川满;笹田一弘 |
| 分类号 | H01L27/146;H01L27/148;H01L21/8232;H01L21/28 | 主分类号 | H01L27/146 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种固态成像装置，其特征在于，具有：形成于半导体基片上的栅极绝缘膜；形成于所述栅极绝缘膜上、实质上具有平坦上面的第1栅电极；以及通过厚度小于光刻极限最小尺寸的绝缘膜而在所述栅极绝缘膜上形成的第2栅电极，该第2栅电极与所述第1栅电极邻接而非重叠。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||