半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在氢气氛中进行热处理的过程中，可以确实有效地防止氢侵入电容绝缘膜中。解决该任务的技术措施是，在半导体衬底100上形成第1氢阻挡膜108，在该第1氢阻挡膜108上间隔导电膜110形成电容下部电极111；在第1氢阻挡膜108上形成第1绝缘膜112，其将电容下部电极111的侧面覆盖住并使电容下部电极111的上面露出；在电容下部电极111和第1绝缘膜112的上面形成由绝缘性金属氧化物构成的电容绝缘膜113；在该电容绝缘膜113上形成电容上部电极114；第2阻挡膜115覆盖电容绝缘膜113和电容上部电极114并且在与电容上部电极114的棱角部位相对应的部位上形成倾斜部115a。在第2绝缘膜115上形成第2氢阻挡膜116。

主权项

1.半导体器件，其特征在于，具有：在衬底上形成的第1氢阻挡膜；在上述第1氢阻挡膜上形成的电容下部电极；在上述第1氢阻挡膜上形成的、覆盖住上述电容下部电极的侧面并使上述电容下部电极的上面露出的第1绝缘膜；在上述电容下部电极和上述第1绝缘膜的上面形成的由绝缘性金属氧化物构成的电容绝缘膜；在上述电容绝缘膜上形成的电容上部电极；在上述第1绝缘膜上形成的第2绝缘膜，其覆盖住上述电容绝缘膜和上述电容上部电极，在其与上述电容上部电极的棱角部位相对应的部位上具有倾斜部；以及在上述第2绝缘膜上形成的第2氢阻挡膜。