发明名称 |
光掩模、光斑测定机构和测定方法及曝光方法 |
摘要 |
本发明的课题在于测定由高阶波像差引起的投影透镜的局部光斑率。在晶片上分别复制备有包括在基板的形成的具有线图形的同一的图形部、以及在该图形部的周围形成的周边图形部的图形的,在图形部与周边图形部之间的距离互不相同的两种光掩模上的图形。然后,测定各自的光掩模的对应于线图形的复制图形的各线宽度。求该各线宽度之差,根据线宽度差,算出光斑率。 |
申请公布号 |
CN1532891A |
申请公布日期 |
2004.09.29 |
申请号 |
CN200410031749.9 |
申请日期 |
2004.03.25 |
申请人 |
半导体先端科技株式会社 |
发明人 |
渡边晋生 |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/66;H01L21/00;G03F7/00 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;叶恺东 |
主权项 |
1.一种光掩模,它是通过在由使曝光光透过的材料构成的基板上,用遮挡上述曝光光的材料设置遮光部分,形成了图形的光掩模,其特征在于:上述图形备有:在上述基板的中央部分隔开规定的间隔形成的包括多个线图形的中央图形部;以及包围上述中央图形部的外侧,在上述基板的外缘部附近形成的周边图形部。 |
地址 |
日本茨城县 |