| 发明名称 | 双层光阻的形成方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双层光阻的形成方法及其应用；双层光阻的形成方法是首先在一基体上，形成图案化的一第一光阻层；接着，固化该第一光阻层，使该第一光阻层不溶于光阻溶剂；最后，在被固化的该第一光阻层上，形成图案化的一第二光阻层；此双层光阻的形成方法还可以应用于罩幕式只读存储器的编码、孔洞的形成、以及双镶嵌结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1532632A | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN03107298.4 | 申请日期 | 2003.03.21 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
| 分类号 | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 | 主分类号 | G03F7/00 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1、一种双层光阻的形成方法，包含有：提供一基体；在该基体上，形成图案化的一第一光阻层；固化该第一光阻层，使该第一光阻层不溶于光阻溶剂；以及在被固化的该第一光阻层上，形成图案化的一第二光阻层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||