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发明名称 Method of manufacturing a MIS structure on silicon carbide (SiC)
摘要
申请公布号 EP0831520(B1) 申请公布日期 2004.09.29
申请号 EP19970111179 申请日期 1997.07.03
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHOERNER, REINHOLD, DR.;FRIEDRICHS, PETER
分类号 H01L29/78;H01L21/04;H01L21/28;H01L29/24;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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