发明名称 具有限制播放次数的光储存媒体
摘要 本发明系提供一种以光读取资料的储存媒体,其包含有一靠近雷射光读取的第一基板,且该第一基板表面包含有复数个第一资料结构;一第二基板设于该第一基板上方,且该第二基板表面包含有复数个第二资料结构,设于该等第一资料结构上方;一反射层设于该第二基板表面,反射该等第二资料结构,当雷射照射反射层,随着基板表面上有无坑洞,表现出数位讯号(0/1)供碟机侦测读取;以及一遮蔽层设于设于该反射层与该第一基板之间,覆盖该等第一资料结构,且该遮蔽层具有一可变性反射率,以用来限制光读取该等第二资料结构。
申请公布号 TWI221275 申请公布日期 2004.09.21
申请号 TW091119053 申请日期 2002.08.22
申请人 钰德科技股份有限公司 发明人 陈怡礽;王东钏;赖志辉;周天佑
分类号 G11B7/004 主分类号 G11B7/004
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路三八九号五楼
主权项 1.一种以光读取资料的储存媒体(optical data storagemedium),其包含有:一第一基板,该第一基板表面包含有复数个第一资料结构;一第二基板设于该第一基板上方,且该第二基板表面包含有复数个第二资料结构设于该等第一资料结构上方;一反射层设于该第二基板表面;以及一遮蔽层设于设于该反射层与该第一基板之间,以用来覆盖该等第一资料结构,且该遮蔽层具有一可变性反射率,以用来限制光读取该等第二资料结构。2.如申请专利范围第1项之以光读取资料的储存媒体,其中该反射层系为一金属层。3.如申请专利范围第1项之以光读取资料的储存媒体,其中该遮蔽层系由一相变化材料所构成,且该相变化材料可利用读取该储存媒体所产生之能量操作于非晶相(amorphous phase)与晶相(crystal phase)之间。4.如申请专利范围第3项之以光读取资料的储存媒体,其中该可变性反射率系随着该遮蔽层之晶相结构比例增加而增加,直至光可读取该等第一资料结构。5.如申请专利范围第1项之以光读取资料的储存媒体,其系利用一设于该第一基板下方之光学读取头所产生之雷射光来读取该储存媒体。6.如申请专利范围第1项之以光读取资料的储存媒体,其中该等第一资料结构系用来储存一显示该等第二资料结构无法读取之警示讯息。7.如申请专利范围第1项之以光读取资料的储存媒体,其中该等第二资料结构系依照一逆时针方向蚀刻于该第二基板表面。8.一种以光读取资料的储存媒体,其包含有:至少一基板,该基板表面包含有复数个资料结构;至少一反射层设于该基板表面;以及至少一反应层设于该基板表面,其中该反应层包含有至少一反应性化合物,且该反应层可利用读取该储存媒体时所产生之能量使该反应性化合物扩散至该反射层并使该反射层具有一可变性反射率,以用来限制光读取该等资料结构。9.如申请专利第8项之以光读取资料的储存媒体,其另包含有一阻障层(barrier layer)设于该反射层与该反应层之间,以用来控制该反应性化合物自该反应层扩散至该反射层之时间。10.如申请专利第8项之以光读取资料的储存媒体,其中该反应层系设于该反射层与该基板之间。11.如申请专利第8项之以光读取资料的储存媒体,其中该反应层系设于该反射层与一光学读取头之间。12.如申请专利第8项之以光读取资料的储存媒体,其另包含有一侦测机构设于该储存媒体之一引入区(lead-in),以用来定义该储存媒体之读取次数。13.一种以光读取资料的储存媒体,其包含有:至少一基板,该基板表面包含有复数个资料结构;至少一反射层设于该基板表面;一遮蔽层设于该反射层表面;以及至少一反应层设于该基板表面,其中该反应层包含有至少一反应性化合物,且该反应层可利用读取该储存媒体时所产生之能量使该反应性化合物扩散至该遮蔽层并使该遮蔽层具有一可变性反射率,以用来限制光读取该等资料结构。14.如申请专利第13项之以光读取资料的储存媒体,其另包含有一阻障层设于该反应层与该遮蔽层之间,以用来控制该反应性化合物自该反应层扩散至该遮蔽层之时间。15.如申请专利第13项之以光读取资料的储存媒体,其中该遮蔽层系设于该反射层与一光学读取头之间。16.如申请专利第13项之以光读取资料的储存媒体,其另包含有一侦测机构设于该储存媒体之一引入区,以用来定义该储存媒体之读取次数。图式简单说明:图一为习知一具有DVD5单一资料层之储存媒体之剖面示意图。图二为习知一具有DVD9双资料层之储存媒体之剖面示意图。图三为本发明第一实施例之一储存媒体之剖面示意图。图四为本发明第二实施例之一储存媒体之剖面示意图。图五为本发明第三实施例之一储存媒体之剖面示意图。图六为本发明第四实施例之一储存媒体之剖面示意图。
地址 桃园县龟山乡华亚二路二二二号
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