| 主权项 |
1.一种介电层平坦化的方法,包括: 提供一基底,于该基底上已形成有复数个闸极结构 且于该些闸极结构上已形成有一保护层; 于该基底上形成一介电层;以及 对该介电层进行一化学机械研磨制程,该化学机械 研磨制程系以该保护层为研磨终止层,且其所使用 的研磨剂为一高选择比研磨剂,该高选择比研磨剂 包括一含铈土研磨粒的研磨液与一添加剂,其中该 研磨液包含浓度为51.25wt%的氧化铈研磨粒,且该添 加剂包括浓度在1~10wt%之间的聚羧化合物。 2.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该研磨液在摄氏25度时的pH値为8.32.075之 间。 3.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该研磨液在摄氏25度时的密度在1.041032.6 102Kg/m3之间。 4.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该研磨液在摄氏25度时的黏度为0.940.235mPa S之间。 5.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该研磨液的媒介为纯水。 6.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该添加剂在摄氏25度时的pH値在6~8之间。 7.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该添加剂在摄氏25度时的密度在0.97103~1.0 103Kg/m3之间。 8.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该添加剂在摄氏25度时的黏度在0.97~1.0mPa S之间。 9.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该添加剂的媒介为纯水。 10.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,在该化学机械研磨制程之后更包括以湿式蚀刻 法去除部分该介电层的步骤。 11.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该介电层包括高密度电浆氧化层、电浆氧 化层、矽酸乙酯氧化层与氮氧化矽层其中之一。 12.一种介电层平坦化的方法,包括: 提供一基底,于该基底上已形成有复数个闸极结构 ,且于该些闸极结构上已形成有一保护层; 于该基底上形成一介电层,以填满该些闸极结构之 间的空隙,且覆盖该保护层;以及 以该保护层为研磨终止层,对该介电层进行一化学 机械研磨制程, 其中,该化学机械研磨制程所使用的研磨剂为一高 选择比研磨剂,该高选择比研磨剂包括一含铈土研 磨粒的研磨液与一添加剂,其中该研磨液包含浓度 为51.25wt%铈研磨粒,且该添加剂对该保护层的吸附 力较大于对该介电层之吸附力。 13.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,该方法适于平坦化快闪记忆体之介电层。 14.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,该方法适于平坦化罩幕式记忆体之介电层。 15.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,该方法适于平坦化电性可抹除可程式唯读记 忆体之介电层。 16.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,其中该研磨液在摄氏25度时的pH値为8.32.075 之间。 17.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,其中该研磨液在摄氏25度时的密度为1.041032 .6102Kg/m3。 18.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,其中该研磨液在摄氏25度时的黏度为0.940.235 mPaS。 19.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,其中该研磨液的媒介为纯水。 20.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,其中该介电层包括高密度电浆氧化层,电浆 氧化层,正矽酸乙酯氧化层与氮氧化矽层其中之一 。 21.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,在该化学机械研磨制程之后更包括以湿式蚀 刻法去除部分该介电层的步骤。 22.如申请专利范围第12项所述之介电层平坦化的 方法,其中该添加剂包含浓度在1~10wt%之间的聚羰 化合物。 23.如申请专利范围第22项所述之介电层平坦化的 方法,其中该添加剂在摄氏25度时的pH仅在6~8之间 。 24.如申请专利范围第22项所述之介电层平坦化的 方法,其中该添加剂在摄氏25度时的密度在0.97103~1 .0103Kg/m3之间。 25.如申请专利范围第22项所述之介电层平坦化的 方法,其中该添加剂在摄氏25度时的黏度在0.97~1.0 mPaS之间。 26.如申请专利范围第22项所述之介电层平坦化的 方法,其中该添加剂的媒介为纯水。 27.一种研磨液之组成,包括: 浓度为51.2wt%的氧化铈研磨粒; 一添加剂,其包括浓度在1~10wt%之间的聚羰化合物; 以及 水。 28.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该研磨液在摄氏25度时的pH値为8.32.075之间。 29.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该研磨液在摄氏25度时的密度在1.041032.6102Kg/m 3之间。 30.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该研磨液在摄氏25度时的黏度为0.940.235mPaS之 间。 31.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该添加剂在摄氏25度时的pH値在6~8之间添加剂在 摄氏25度时的pH値在6~8之间。 32.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该添加剂在摄氏25度时的密度在0.97103~1.0103 Kg/ m3之间。 33.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该添加剂在摄氏25度时的黏度在0.97~1.0mPaS之 间。 34.如申请专利范围第27项所述之研磨液之组成,其 中该添加剂的媒介为纯水。 图式简单说明: 第1A图至第1E图是习知一种介电层平坦化之流程剖 面示意图;以及 第2A图至第2D图是依照本发明一较佳实施例一种介 电层平坦化之制造流程剖面示意图。 |
