| 主权项 |
1.一种半导体晶圆用研磨垫,其特征为: 具备: 非水溶性基块材料、与被分散在该非水溶性基块 材料中的水溶性粒子, 具有透光性。 2.如申请专利范围第1项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中在厚度设为2mm之情形,波长400~800nm之间的 任一种的波长之光的透过率在0.1%以上,或者波长 400~800nm之间的任一种的波长带的累积透过率在0.1% 以上。 3.如申请专利范围第2项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中具有薄肉部,终点检测用光透过该薄肉部 。 4.如申请专利范围第3项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述非水溶性基块材料之至少其中一部份 为架桥聚合物。 5.如申请专利范围第2项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述非水溶性基块材料之至少其中一部份 为架桥聚合物。 6.如申请专利范围第5项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述架桥聚合物为1,2-聚丁二烯。 7.一种半导体晶圆用研磨垫,其特征为: 具备: 具有贯穿表里的贯穿孔的研磨垫用基体、与被嵌 合在该贯穿孔内之透光性构件,该透光性构件由包 含:非水溶性基块材料、与被分散在该非水溶性基 块材料中之水溶性粒子所形成。 8.如申请专利范围第7项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述透光性构件为:在设厚度为2mm之情形, 波长400~800nm之间的任一种的波长之光的透过率在0 .1%以上,或者波长400~800nm之间的任一种的波长带的 累积透过率在0.1%以上。 9.如申请专利范围第8项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述透光性构件被薄肉化。 10.如申请专利范围第9项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述非水溶性基块材料之至少其中一部份 为架桥聚合物。 11.如申请专利范围第8项记载之半导体晶圆用研磨 垫,其中上述非水溶性基块材料之至少其中一部份 为架桥聚合物。 12.如申请专利范围第11项记载之半导体晶圆用研 磨垫,其中上述架桥聚合物为被架桥之1,2-聚丁二 烯。 13.一种半导体晶圆用研磨多层体,其特征为: 具备: 具有非水溶性基块材料、与被分散在该非水溶性 基块材料中之水溶性粒子之研磨垫、以及被积层 在该研磨垫的里面侧之支持层,在积层方向具有透 光性。 14.一种半导体晶圆用研磨多层体,其特征为: 具备: 具有贯穿表里的贯穿孔之研磨垫用基体、与被嵌 合在该贯穿孔内之透光性构件,该透光性构件具备 :由包含非水溶性基块材料、与被分散在该非水溶 性基块材料中之水溶性粒子所形成之研磨垫、以 及被积层在该研磨垫的里面侧的支持层,在积层方 向具有透光性。 15.一种半导体晶圆之研磨方法,其特征为: 利用具备:非水溶性基块材料、与被分散在该非水 溶性基块材料中的水溶性粒子而具有透光性的研 磨垫,研磨半导体晶圆,利用光学式终点检测器进 行该研磨终点的检测。 16.一种半导体晶圆之研磨方法,其特征为: 利用具备:具有贯穿表里的贯穿孔的研磨垫用基体 、与被嵌合在该贯穿孔内之透光性构件,该透光性 构件由包含:非水溶性基块材料、与被分散在该非 水溶性基块材料中之水溶性粒子所形成之研磨垫, 研磨半导体晶圆,利用光学式终点检测器进行该研 磨终点的检测。 17.一种半导体晶圆之研磨方法,其特征为: 利用具备:具有非水溶性基块材料、与被分散在该 非水溶性基块材料中之水溶性粒子的研磨垫、以 及被积层在该研磨垫之里面侧的支持层,在积层方 向具有透光性之研磨多层体,研磨半导体晶圆,利 用光学式终点检测器进行该研磨终点的检测。 18.一种半导体晶圆之研磨方法,其特征为: 利用具备:具有贯穿表里之贯穿孔之研磨垫用基体 、与被嵌合在该贯穿孔内之透光性构件,该透光性 构件具备:由非水溶性基块材料与被分散在该非水 溶性基块材料中之水溶性粒子所形成之研磨垫、 以及被积层在该研磨垫之里面侧的支持层,在积层 方向具有透光性之研磨多层体,研磨半导体晶圆, 利用光学式终点检测器进行该研磨终点的检测。 图式简单说明: 第1图是表示本发明之研磨垫的薄肉部的剖面的一 例之模型图。 第2图是表示本发明之研磨垫的薄肉部的剖面的一 例之模型图。 第3图是表示本发明之研磨垫的薄肉部的剖面的一 例之模型图。 第4图是表示本发明之研磨垫的薄肉部的剖面的一 例之模型图。 第5图是由表示本发明的薄肉部的平面形状的一例 之里面方向所见之模型图。 第6图是由表示本发明的薄肉部的平面形状的一例 之里面方向所见之模型图。 第7图是由表示本发明的薄肉部的平面形状的一例 之里面方向所见之模型图。 第8图是表示被设置在本发明之研磨垫的贯穿孔的 一例之剖面模型图。 第9图是表示被设置在本发明之研磨垫的贯穿孔的 一例之剖面模型图。 第10图是表示被设置在本发明之研磨垫的贯穿孔 的一例之剖面模型图。 第11图是表示被设置在本发明之研磨垫的贯穿孔 的一例之剖面模型图。 第12图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第13图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第14图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第15图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第16图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第17图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第18图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第19图是表示研磨垫用基体以及透光性构件的形 状以及各各之嵌合插入状态之一例的模型图。 第20图是表示透光性构件被嵌合插入研磨垫用基 体的贯穿孔之研磨垫的一例之平面图。 第21图是表示透光性构件被嵌合插入研磨垫用基 体的贯穿孔之研磨垫的一例之平面图。 第22图是表示透光性构件被嵌合插入研磨垫用基 体的贯穿孔之研磨垫的一例之平面图。 第23图是表示本发明的研磨多层体之一例的剖面 模型图。 第24图是解说利用本发明之研磨垫或者研磨多层 体之研磨装置的模型图。 |
