发明名称 化学机械研磨垫
摘要 一种用于化学机械研磨之研磨垫,包括基底、形成于该基底之上的众多凸出岛、及形成于该众多凸出岛之间的众多沟槽,其中,该众多凸出岛之形状及排列符合流体动力学,以致于流体流过每一凸出岛后可实质均匀地朝向二侧相邻沟槽分流。凸出岛之角落经过圆化,以进一步降低刮伤。此外,凸出岛之型态比设定在1:2与1:20之间,以致于研磨时能视待研磨物的表面的地形变化而弹性变形,因而实质均匀地研磨该待研磨表面。
申请公布号 TWI221106 申请公布日期 2004.09.21
申请号 TW092103142 申请日期 2003.02.14
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 SEMICONDUCTORMANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORP. 中国 发明人 黄河;宁先捷;陈国庆;蔡孟峰
分类号 B24B7/24;B24B37/04;H01L21/304 主分类号 B24B7/24
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种用于化学机械研磨之研磨垫,包括: 基底; 衆多凸出岛,形成于该基底之上;及 衆多沟槽,形成于该衆多凸出岛之间, 其中,该衆多凸出岛之形状及排列符合流体动力学 ,以致于流体流过每一凸出岛后可实质均匀地朝向 二侧相邻沟槽分流。 2.如申请专利范围第1项之化学机械研磨垫,其中, 每一该凸出岛的形状系一端呈凸出之箭头状,相对 的一端为与该凸出箭头状相对应的凹陷状,以致于 流体流过该凸出岛时会朝向该凸出岛的二侧相邻 之沟槽分流。 3.一种用于化学机械研磨之研磨垫,包括: 基底; 衆多凸出岛,形成于该基底之上;及 衆多沟槽,形成于该衆多凸出岛之间 其中,该凸出岛之角落系经过圆化。 4.一种用于化学机械研磨之研磨垫,包括: 基底; 衆多凸出岛,形成于该基底之上;及 衆多沟槽,形成于该衆多凸出岛之间, 其中,该凸出岛之型态比在1:2与1:20之间,以致于研 磨时能视待研磨物的表面的地形变化而弹性变形, 因而实质均匀地研磨该待研磨表面。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之研磨垫,其 中该衆多凸出岛系以矩阵方式排列于该基底上。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之研磨垫,其 中该衆多凸出岛系以螺旋方式配置于该基底上。 7.如申请专利范围第1至3项中任一项之研磨垫,其 中该衆多凸出岛系以多个同心圆方式配置于该基 底上。 图式简单说明: 图1系上视图,显示根据本发明的实施例之化学机 械研磨垫; 图2系图1的部份放大视图,显示根据本发明的实施 例之研磨垫上的凸出岛的形状及配置方式; 图3系图2的A-A剖面图,显示根据本发明的实施例之 凸出岛的剖面形状; 图4A及4B系剖面图,分别显示根据本发明的凸出岛 与习知的凸出岛研磨时所造成的涡流现象;
地址 中国