埋置式磁性隧道接面记忆体晶胞及方法

摘要

一种形成于基片上之磁性记忆体晶胞，其具有一组第一金属导体、一组被配置在该第一金属导体上之第一磁性层、一组具有经由它延伸至第一磁性层的穿孔之平面层间介电质(ILD)、一组在该穿孔之内第一磁层之上的埋置式隧道接面、一组充填穿孔并且埋置隧道接面之第二磁性层、以及一组被耦合至第二磁性层之第二金属导体。对于使用记忆体中之记忆体晶胞的方法以及特别地适用于制造该记忆体晶胞之其他装置和方法被揭露。