| 摘要 |
本发明之目的是根据MOSFET之实测大小(闸极长度／闸极宽度)，以高精确度预测具有所希望之大小之MOSFET之电特性。本发明之解决手段是一种电路模拟方法，用来模拟包含有多个电晶体之电路之电特性，在根据多个大小而排列有多个电晶体之格子状图案，储存上述多个电晶体中之2个以上之第1电晶体之电特性之测定资料。其次，在格子状图案中，指定与第1电晶体不同之第2电晶体之位置，假如有1个以上之第1电晶体之位置邻接第2电晶体之位置之情况时，便使用该1个以上之位置之第1电晶体之测定资料，根据内插(interpolation)规则进行内插，求得第2电晶体之电特性。然后，在格子状图案中，指定与第2电晶体不同之另一第2电晶体，假如在邻接另一第2电晶体之位置之1个以上之位置，具有1个以上之第1电晶体和／或已求得内插资料之第2电晶体之位置之情况时，便使用该1个以上之位置之第1电晶体之测定资料和／或第2电晶体之内插资料，根据上述内插规则进行内插，求得另一第2电晶体之电特性。 |
