半导体装置及其制造方法

摘要

本发明目的在于提高被使用于闸极绝缘膜等的热氧化膜的绝缘耐压性，而提升元件的操作信赖性。本发明的半导体装置具有形成于单晶矽基板1上的所定区域中的氧化矽膜2，以及经由热氧化邻接前述区域的区域内单晶矽基板1表面而形成之当作是闸极绝缘膜3的热氧化膜。在氧化矽膜2与闸极绝缘膜3之间的境界上，形成表面被氧化的多晶矽5(或非晶矽)。